|
상세 정보 |
|||
| 인덕턴스: | 8.2μH | 용인성: | ±20% |
|---|---|---|---|
| 전류 등급 (Amps): | 0.125 | 경향 - 포화 (이스아트): | 8A |
| DC 저항 (DCR): | 최대 106m옴 | 작동 온도: | -55°C ~ 125°C |
| 인덕턴스 주파수 - 테스트: | 100 킬로 헤르츠 | 높이 - 위치하게 되 (맥스): | 0.094 " (2.40mm) |
제품 설명
CHV2512-JW-107ELF 100 MOhms ± 5% 1W 칩 저항 2512 고전압 두꺼운 필름
스펙 IHLP2525BDER8R2M01
| 유형 | 설명 |
| 분류 | 인덕터, 코일, 스코어 |
| 고정 인덕터 | |
| Mfr | 비샤이 데일 |
| 시리즈 | IHLP-2525BD-01 |
| 패키지 | 테이프 & 롤 (TR) |
| 절단 테이프 (CT) | |
| 종류 | 도형 |
| 재료 - 핵심 | - |
| 인덕턴스 | 8.2 μH |
| 용인성 | ±20% |
| 현재 등급 (Amp) | 0.125 |
| 전류 - 포화 (Isat) | 8A |
| 보호 | 보호 |
| DC 저항 (DCR) | 106mOhm 최대 |
| Q @ Freq | - |
| 주파수 - 자기 공명 | - |
| 등급 | - |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C |
| 인덕턴스 주파수 - 테스트 | 100kHz |
| 장착형 | 표면 마운트 |
| 패키지 / 케이스 | 비 표준 |
| 공급자의 장치 패키지 | - |
| 크기 / 차원 | 0.270" L x 0.255" W (6.86mm x 6.47mm) |
| 높이 - 앉은 자 (최대) | 0.094" (2.40mm) |
IHLP2525BDER8R2M01의 특징
• 이 패키지 발자국 에서 가장 낮은 높이 (2.4 mm)
• 보호 된 건축물
• 5.0MHz까지의 주파수 범위
• 이 패키지 크기의 가장 낮은 DCR/μH
• 포화 없이 높은 일시적 전류 스파이크를 처리
• 복합물 구조로 인해 초저소음
• IHLP 디자인. 특허 (S): www.vishay.com/patents
• 재료 분류: 적합성 정의
IHLP2525BDER8R2M01의 적용
• PDA / 노트북 / 데스크톱 / 서버 응용 프로그램
• 높은 전류 POL 변환기
• 낮은 프로필, 높은 전류 공급
• 배터리 가동 장치
• 분산 전력 시스템에서의 DC/DC 변환기
• 필드 프로그래밍 가능한 게이트 어레이 (FPGA) 의 DC/DC 변환기
이 제품에 대한 자세한 내용을 알고 싶습니다