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상세 정보 |
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| 다이오드 구조: | 1 쌍 공통 캐소드 | 기술: | 숏트키 |
|---|---|---|---|
| 전압 - DC 반대 (Vr) (맥스): | 170 Ｖ | 경향 - (다이오드마다) 평균 정류된 (Io): | 8A |
| 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 8 A에 있는 920 mV | 속도: | 패스트 리커버리 =< 500 나노 초, > 200mA (Io) |
| 경향 - Vr에 있는 역누출: | 170 Ｖ에 있는 15 uA | 작동 온도 - 결합: | 175' Ｃ (맥스) |
제품 설명
DBL1010HB-100M-R 집적 회로는 7-18V 1KHZ 저소음을 자릅니다
지 않는다면 그렇지 않았다면 특정한, Vcc=10V, f=1KHz, Rg=600, RL=10K. Ta=25' Ｃ
DBL1010HB-100M-R의 상술
(지 않는다면 그렇지 않았다면 특정한, Vcc=10V, f=1KHz, Rg=600, RL=10K. Ta=25' Ｃ)
| 특성 | 기호 | 시험 회로 | 엑스페리먼트 조건 | 광산업 | 타입 | 최대 | 유닛 |
| 정지 전류 | ICCO | 1 | - | 5.5 | 8.5 | 마 | |
| 개방 루프 전압 이득 | GVO | 1 | Cf=100μF, Rf=0 | - | 100 | - | dB |
| 동등한 입력 | 전압 저항 전류계 | 2 |
THD 0.5%, NAB 균등화 |
2 | 2.8 | 브르엠에스 | |
| 잡음 전압 | VNI | 2 | Rg=2.2kΩ BPF15HZ-30kHz | - | 1 | 2.5 | 우브르엠에스 |
| 입력 저항 | 린 | 2 | Vo=1Vrms | - | 100 | - | kΩ |
| 채널 간격 | CHSEP | 2 | f=10kHz, Rg 2.2kΩ Vo=1Vrms |
- | 70 | - | dB |
| 리플 배제율 | R.R. | 2 | f=100Hz, VIN=1Vrms CB 비연결형 |
- | 50 | - | dB |
| 뮤팅 비율 | M.R. | 2 | Vg=1V, OdB 1 브르엠에스. | 80 | - | dB |
DBL1010HB-100M-R의 특징
* 고전압은 다음을 획득합니다 f=1kHz에 있는 그보 100dB (Typ)
* 우수한 채널 간격과 하이 리플
거절 : CHSEP. 70dB (Typ)
R.R.=50dB(Typ.)
* 로우는 다음을 퍼뜨립니다 VNI = 1.0μVrms (Typ)
Rg 2.2k.Ω = 15Hz-30kHz에
* 뮤팅 회로 내장식 : 2V0.9V
* 넓은 작동 공급 전압 범위 : Vcc = 7-18V.
* 우수한 채널 간격과 하이 리플
거절 : CHSEP. 70dB (Typ)
R.R.=50dB(Typ.)
* 로우는 다음을 퍼뜨립니다 VNI = 1.0μVrms (Typ)
Rg 2.2k.Ω = 15Hz-30kHz에
* 뮤팅 회로 내장식 : 2V0.9V
* 넓은 작동 공급 전압 범위 : Vcc = 7-18V.
DBL1010HB-100M-R의 애플리케이션
* 자동차 또는 가정 스트레오 사용.
* 데이터베이스 언어 1010년은 8 SIP, Pin9이고 (작용하세요 : 무이트링은) 잘렸습니다.
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