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상세 정보 |
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| 핵심 프로세서: | STM8 | 핵심 사이즈: | 8-비트 |
|---|---|---|---|
| 속도: | 16MHz | 연결성: | I2C, 적외선 통신 협회, 린뷔스, SPI, UART / 범용 동기／비동기 송수신 회로 |
| 주변 기기: | 절전은 / 리셋, 포르, PWM, WDT를 발견합니다 | 입출력의 수: | 16 |
| 프로그램 메모리 규모: | 8KB(8K x 8) | 프로그램 메모리 종류: | 플래시 |
제품 설명
STM8S003F3U6TR Emmc 메모리 칩 IC Mcu 8bit 8kb 섬광 20ufqfpn
STM8 STM8S 마이크로 컨트롤러 IC 8비트 16MHz 8KB(8K x 8) 플래시 20-UFQFPN(3x3)
사양STM8L151K4T6TR
| 유형 | 설명 |
| 범주 | 집적 회로(IC) |
| 임베디드 | |
| 마이크로컨트롤러 | |
| 제조업체 | ST마이크로일렉트로닉스 |
| 시리즈 | STM8S |
| 패키지 | 테이프 및 릴(TR) |
| 컷테이프(CT) | |
| Digi-Reel® | |
| 제품 상태 | 활동적인 |
| 프로그래밍 가능한 Digi-Key | 확인되지 않음 |
| 코어 프로세서 | STM8 |
| 코어 크기 | 8비트 |
| 속도 | 16MHz |
| 연결성 | I²C, IrDA, LINbus, SPI, UART/USART |
| 주변기기 | 절전 감지/재설정, POR, PWM, WDT |
| I/O 수 | 16 |
| 프로그램 메모리 크기 | 8KB(8K x 8) |
| 프로그램 메모리 유형 | 플래시 |
| EEPROM 크기 | 128x8 |
| RAM 크기 | 1K x 8 |
| 전압 - 공급(Vcc/Vdd) | 2.95V ~ 5.5V |
| 데이터 변환기 | A/D 5x10b |
| 발진기 유형 | 내부 |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C(TA) |
| 장착 유형 | 표면 실장 |
| 패키지/케이스 | 20-UFQFN |
| 공급자 장치 패키지 | 20-UFQFPN(3x3) |
| 기본 제품 번호 | STM8 |
특징STM8L151K4T6TR
핵심
• Harvard 아키텍처 및 3단계 파이프라인을 갖춘 16MHz 고급 STM8 코어
• 확장 명령어 세트
추억
• 프로그램 메모리: 8Kbyte 플래시 메모리;100주기 후 55°C에서 20년 동안 데이터 보존
• RAM: 1KB
• 데이터 메모리: 128바이트 실제 데이터 EEPROM;최대 100k 쓰기/삭제 사이클의 내구성 클록, 리셋 및 공급 관리
• 2.95V ~ 5.5V 작동 전압
• 유연한 클록 제어, 4개의 마스터 클록 소스
– 저전력 수정 공진기 발진기
– 외부 클럭 입력
– 내부, 사용자 조정 가능한 16MHz RC
– 내부 저전력 128kHz RC
• 시계 모니터가 있는 시계 보안 시스템
• 전원 관리
– 저전력 모드(대기, 활성-정지, 정지)
– 주변 장치 클록을 개별적으로 끄기
– 영구적인 활성, 저소비 전력 전원 켜기 및 전원 끄기 재설정
인터럽트 관리
• 32개의 인터럽트가 있는 중첩 인터럽트 컨트롤러
• 6개 벡터에서 최대 27개의 외부 인터럽트
애플리케이션 ~의STM8L151K4T6TR
• 8Kbyte의 플래시 프로그램 단일 전압 플래시 메모리
• 128바이트 실제 데이터 EEPROM
• 사용자 옵션 바이트 영역
환경 및 수출 분류STM8L151K4T6TR
| 기인하다 | 설명 |
| RoHS 상태 | ROHS3 준수 |
| 수분 민감도 수준(MSL) | 1(무제한) |
| REACH 상태 | REACH 영향 없음 |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.31.0001 |
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