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상세 정보 |
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| 기억 영역형: | 볼라틸렉 | 메모리 포맷: | DRAM |
|---|---|---|---|
| 기술: | SDRAM - DDR3L | 메모리 용량: | 4Gbit |
| 메모리구성: | 256M Ｘ 16 | 기억기접합: | 대비 |
| 클럭 주파수: | 800 마하즈 | 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다: | 15 나노 초 |
| 엑세스 시간: | 20 나노 초 | ||
| 하이 라이트: | IS46TR16256AL-125KBLA2,SDRAM DDR3L 메모리 IC,800 MHz 메모리 IC |
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제품 설명
IS46TR16256AL-125KBLA2 SDRAM - DDR3L 메모리 IC 4Gbit 평행 800 MHz 20 ns 96-TWBGA
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA
스펙 IS46TR16256AL-125KBLA2
| 유형 | 설명 |
| 분류 | 융합 회로 (IC) |
| 기억력 | |
| Mfr | ISSI, 통합 실리콘 솔루션 |
| 시리즈 | - |
| 패키지 | 트레이 |
| 제품 상태 | 구식 |
| 메모리 타입 | 휘발성 |
| 메모리 형식 | DRAM |
| 기술 | SDRAM - DDR3L |
| 메모리 크기 | 4Gbit |
| 기억 조직 | 256M x 16 |
| 메모리 인터페이스 | 평행 |
| 시계 주파수 | 800 MHz |
| 주기 시간 - 단어, 페이지 | 15n |
| 접속 시간 | 20 ns |
| 전압 - 공급 | 1.283V ~ 1.45V |
| 작동 온도 | -40°C ~ 105°C (TC) |
| 장착형 | 표면 마운트 |
| 패키지 / 케이스 | 96-TFBGA |
| 공급자의 장치 패키지 | 96-TWBGA (9x13) |
| 기본 제품 번호 | IS46TR16256 |
특징의IS46TR16256AL-125KBLA2
* 표준 전압: VDD 및 VDDQ = 1.5V ± 0.075V
* 저전압 (L): VDD와 VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V
- 1.5V까지 역동 호환
* 시스템 주파수 최대 1066 MHz의 고속 데이터 전송 속도
* 동시 운영을 위한 8개의 내부 은행
* 8n-비트 전 검색 아키텍처
* 프로그래밍 가능한 CAS 지연
* 프로그래밍 가능한 추가 지연: 0, CL-1, CL-2
* tCK를 기반으로 프로그래밍 가능한 CAS WRITE 지연 (CWL)
* 프로그래밍 가능한 폭발 길이: 4와 8
* 프로그래밍 가능한 펄스트 시퀀스: 시퀀셜 또는 인터레브
* FLUY에 BL 스위치를
* 자동 자동 업데이트 (ASR)
* 자기 갱신 온도 (SRT)
* 갱신 간격:
- 7.8 US (8192 사이클/ 64 ms) Tc= -40°C ~ 85°C
- 3.9 US (8192 사이클/32 ms) Tc= 85°C ~ 105°C
* 부분 배열 자기 갱신
* 비동기 리셋 핀
* TDQS (Termination Data Strobe) 지원 (x8만)
* OCD (오프 칩 드라이버 저항 조정)
* 다이내믹 ODT (On-Die Termination)
* 드라이버 강도: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
* 레벨링을 쓰세요
* DLL 종료 모드에서 최대 200 MHz
* 작동 온도:
- 상업용 (TC = 0°C ~ +95°C)
- 산업 (TC = -40°C ~ +95°C)
- 자동차, A1 (TC = -40°C ~ +95°C)
- 자동차, A2 (TC = -40°C ~ +105°C)
신청서의IS46TR16256AL-125KBLA2
구성:
- 512Mx8
- 256Mx16
패키지:
- 96볼 BGA (9mm x 13mm) x16
- 78볼 BGA (9mm x 10.5mm) x8
환경 및 수출 분류IS46TR16256AL-125KBLA2
| ATTRIBUTE | 설명 |
| RoHS 상태 | ROHS3 준수 |
| 수분 민감도 수준 (MSL) | 3 (168시간) |
| REACH 상태 | REACH 영향을 받지 않습니다 |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.32.0036 |
