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상세 정보 |
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| FET은 타이핑합니다: | 엔-채널 | 기술: | MOSFET (금속 산화물) |
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| 소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요: | 25 Ｖ | 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C: | 700mA (Ta) |
| 구동 전압 (Rds를에 민 Rds에 최대한으로 씁니다): | 2.7V, 4.5V | Id, 브그스에 있는 (맥스) 위의 Rds: | 600mA, 4.5V에 있는 350mOhm |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 250uA에 있는 1.5V | 게이트는 브그스에 (큐그에게) (맥스)를 청구합니다: | 1.5 4.5 Ｖ에 있는 nC |
| 브그스 (맥스): | ±8V | Vds에 있는 입력 커패시턴스 (CIS) (맥스): | 60pF @ 10V |
| 하이 라이트: | NTS4409NT1G,NTS4409NT1G N 채널 MOSFET |
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제품 설명
NTS4409NT1G N 채널 25 V 700mA (Ta) 280mW (Tj) 표면 장착 SC-70-3 (SOT323)
MOSFET N-CH 25V 700MA SC70-3
스펙NTS4409NT1G
| 유형 | 설명 |
| 분류 | 디스크리트 반도체 제품 |
| 단일 FET, MOSFET | |
| Mfr | 반 |
| 시리즈 | - |
| 패키지 | 테이프 & 롤 (TR) |
| 제품 상태 | 액티브 |
| FET 타입 | N 채널 |
| 기술 | MOSFET (금속산화물) |
| 소스 전압 (Vdss) | 25V |
| 전류 - 연속 배수 (Id) @ 25°C | 700mA (Ta) |
| 구동 전압 (최대 Rds ON, 최소 Rds ON) | 27V, 4.5V |
| Rds ON (Max) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 600mA, 4.5V |
| Vgs(th) (최대) @ Id | 1.5V @ 250μA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 1.5 nC @ 4.5 V |
| Vgs (최대) | ±8V |
| 입력 용량 (Ciss) (Max) @ Vds | 60pF @ 10V |
| FET 특징 | - |
| 전력 분산 (최대) | 280mW (Tj) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착형 | 표면 마운트 |
| 공급자의 장치 패키지 | SC-70-3 (SOT323) |
| 패키지 / 케이스 | SC-70, SOT-323 |
| 기본 제품 번호 | NTS4409 |
특징NTS4409NT1G
• 빠른 전환, 낮은 RDS를 위한 선진 평면 기술 (on)
• 더 효율적 인 배터리 수명 연장
• AEC-Q101 자격 및 PPAP 능력 - NVS4409N
• 이 장치들은 Pb-Free이며 RoHS를 준수합니다.
스펙NTS4409NT1G
• 부스트 및 벅 변환기
• 로드 스위치
• 배터리 보호
환경 및 수출 분류NTS4409NT1G
| ATTRIBUTE | 설명 |
| RoHS 상태 | ROHS3 준수 |
| 수분 민감도 수준 (MSL) | 1 (무제한) |
| REACH 상태 | REACH 영향을 받지 않습니다 |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
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