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상세 정보 |
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| FET은 타이핑합니다: | 엔-채널 | 소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요: | 60 Ｖ |
|---|---|---|---|
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C: | 60A (Tc) | 구동 전압 (Rds를에 민 Rds에 최대한으로 씁니다): | 4.5V, 10V |
| Id, 브그스에 있는 (맥스) 위의 Rds: | 2.7m옴 @ 20A, 10V | Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 250uA에 있는 2.5V |
| 게이트는 브그스에 (큐그에게) (맥스)를 청구합니다: | 96nC @ 10V | 브그스 (맥스): | ±20V |
| Vds에 있는 입력 커패시턴스 (CIS) (맥스): | 4365 pF @ 30V | 전력 소모 (맥스): | 6.25W(Ta), 104W(Tc) |
| 하이 라이트: | SIR662DP-T1-GE3,N 채널 MOSFET 60V |
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제품 설명
SIR662DP-T1-GE3 N 채널 MOSFET 60V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc)
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8 표면 마운트 PowerPAK® SO-8
스펙SIR662DP-T1-GE3
| 유형 | 설명 |
| 분류 | 디스크리트 반도체 제품 |
| 단일 FET, MOSFET | |
| Mfr | 비샤이 실리코닉스 |
| 시리즈 | 트렌치FET® |
| 패키지 | 테이프 & 롤 (TR) |
| 제품 상태 | 액티브 |
| FET 타입 | N 채널 |
| 기술 | MOSFET (금속산화물) |
| 소스 전압 (Vdss) | 60V |
| 전류 - 연속 배수 (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| 구동 전압 (최대 Rds ON, 최소 Rds ON) | 4.5V, 10V |
| Rds ON (Max) @ Id, Vgs | 2.7mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs(th) (최대) @ Id | 2.5V @ 250μA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 96 nC @ 10 V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 용량 (Ciss) (Max) @ Vds | 4365 pF @ 30V |
| FET 특징 | - |
| 전력 분산 (최대) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착형 | 표면 마운트 |
| 공급자의 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 |
| 패키지 / 케이스 | PowerPAK® SO-8 |
| 기본 제품 번호 | SIR662 |
특징SIR662DP-T1-GE3
• TrenchFET® 전력 MOSFET
• 100% Rg 및 UIS 테스트
• 높은 효율을 위해 낮은 Qg
의 적용SIR662DP-T1-GE3
• 주측 스위치
• POL
• 동시 직렬기
• DC/DC 변환기
• 오락 시스템
• 산업
• LED 백글라이트
환경 및 수출 분류SIR662DP-T1-GE3
| ATTRIBUTE | 설명 |
| RoHS 상태 | ROHS3 준수 |
| 수분 민감도 수준 (MSL) | 1 (무제한) |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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