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상세 정보 |
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| 전압 - DC 반대 (Vr) (맥스): | 60 Ｖ | 경향 - 평균 정류된 (Io): | 1A |
|---|---|---|---|
| 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 750mV @ 1A | 속도: | 패스트 리커버리 =< 500 나노 초, > 200mA (Io) |
| 경향 - Vr에 있는 역누출: | 60V에서 200μA | Vr, Ｆ에 있는 전기 용량: | - |
| 장착형: | 표면 마운트 | 패키지 / 케이스: | DO-214AC, SMA |
제품 설명
B160-E3/5A 다이오드 60 V 1A 표면 장착기 DO-214AC (SMA)
스펙B160-E3/5A
| 유형 | 설명 |
| 분류 | 디스크리트 반도체 제품 |
| 다이오드 | |
| 정제기 | |
| 단일 다이오드 | |
| Mfr | 비샤이 일반 반도체 - 다이오드 부문 |
| 시리즈 | - |
| 패키지 | 테이프 & 롤 (TR) |
| 절단 테이프 (CT) | |
| 제품 상태 | 액티브 |
| 기술 | 스코트키 |
| 전압 - DC 역전 (Vr) (최대) | 60V |
| 전류 - 평균 수정 (Io) | 1A |
| 전압 - 앞으로 (Vf) (최대) | 750mV @ 1A |
| 속도 | 빠른 회복 = < 500ns, > 200mA (Io) |
| 전류 - 역 누출 @ Vr | 200μA @ 60V |
| 용량 @ Vr, F | - |
| 장착형 | 표면 마운트 |
| 패키지 / 케이스 | DO-214AC, SMA |
| 공급자의 장치 패키지 | DO-214AC (SMA) |
| 작동 온도 - 접점 | -65°C ~ 150°C |
| 기본 제품 번호 | B160 |
특징B160-E3/5A
• 저조한 패키지
• 자동 배치에 이상적입니다.
• 과전압 보호용 보호 반지
• 낮은 전력 손실, 높은 효율성
• 낮은 전압 하락
• 높은 전압력
J-STD-020에 따라 MSL 레벨 1을 충족합니다. LF 최대 최고 260 °C
의 적용B160-E3/5A
저전압, 고주파 인버터, 프리 휠링, DC/DC 변환기 및 극성 보호 애플리케이션에 사용된다.
환경 및 수출 분류B160-E3/5A
| ATTRIBUTE | 설명 |
| RoHS 상태 | ROHS3 준수 |
| 수분 민감도 수준 (MSL) | 1 (무제한) |
| REACH 상태 | REACH 영향을 받지 않습니다 |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.10.0080 |
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