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상세 정보 |
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| 전압 - DC 반대 (Vr) (맥스): | 100 Ｖ | 경향 - 평균 정류된 (Io): | 215mA |
|---|---|---|---|
| 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.25V @ 150mA | 속도: | 패스트 리커버리 =< 500 나노 초, > 200mA (Io) |
| 역회복 시간 (트르): | 4 나노 초 | 경향 - Vr에 있는 역누출: | 500nA @ 80V |
| Vr, Ｆ에 있는 전기 용량: | 0V, 1MHz에 있는 1.5pF | 장착형: | 표면 마운트 |
제품 설명
BAS16L,315 전자 부품 다이오드 100V 215mA 표면 장착 DFN1006-2
스펙BAS16L315
| 유형 | 설명 |
| 분류 | 디스크리트 반도체 제품 |
| 다이오드 | |
| 정제기 | |
| 단일 다이오드 | |
| Mfr | 넥스페리아 USA Inc. |
| 시리즈 | 자동차, AEC-Q101, BAS16 |
| 패키지 | 테이프 & 롤 (TR) |
| 절단 테이프 (CT) | |
| 제품 상태 | 액티브 |
| 기술 | 표준 |
| 전압 - DC 역전 (Vr) (최대) | 100V |
| 전류 - 평균 수정 (Io) | 215mA |
| 전압 - 앞으로 (Vf) (최대) | 1.25V @ 150mA |
| 속도 | 빠른 회복 = < 500ns, > 200mA (Io) |
| 역회복 시간 (trr) | 4 ns |
| 전류 - 역 누출 @ Vr | 500nA @ 80V |
| 용량 @ Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
| 장착형 | 표면 마운트 |
| 패키지 / 케이스 | SOD-882 |
| 공급자의 장치 패키지 | DFN1006-2 |
| 작동 온도 - 접점 | 150°C (최대) |
| 기본 제품 번호 | BAS16 |
특징BAS16L315
* 높은 스위치 속도: trr 4 ns
* 낮은 용량
* 낮은 누출 전류
* 역전압: VR 100V
* 반복적 최고 역전압: VRRM ∙ 100V
* 작은 SMD 플라스틱 패키지
* AEC-Q101 자격
의 적용BAS16L315
* 초고속 전환
* 일반용 전환
환경 및 수출 분류BAS16L315
| ATTRIBUTE | 설명 |
| RoHS 상태 | ROHS3 준수 |
| 수분 민감도 수준 (MSL) | 1 (무제한) |
| REACH 상태 | REACH 영향을 받지 않습니다 |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.10.0070 |
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