상세 정보 |
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로직 타입: | 인버터 | 회로 수: | 1 |
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입력 횟수: | 1 | 특징: | 슈미트 트리거 |
전압 - 공급: | 2V ~ 6V | 경향 - 정지하 (맥스): | 1 uA |
경향 - 낮은 출력 하이: | 2.6mA, 2.6mA | 입력 논리 레벨 - 로우: | 0.3V ~ 1.5V |
입력 논리 레벨 - 최고: | 1.5V ~ 4.2V | 최대 전파 지연 @ V, 최대 CL: | 6V, 50pF에 있는 17 나노 초 |
제품 설명
TC7S14FU 통합 회로 칩 인버터 IC 1 채널 슈미트 트리거 5-SSOP
스펙TC7S14FU
유형 | 설명 |
분류 | 융합 회로 (IC) |
논리 | |
게이트 및 인버터 | |
Mfr | 토시바 반도체 및 저장장치 |
시리즈 | TC7S |
패키지 | 테이프 & 롤 (TR) |
절단 테이프 (CT) | |
로직 타입 | 인버터 |
회로 수 | 1 |
입력값 수 | 1 |
특징 | 슈미트 트리거 |
전압 - 공급 | 2V ~ 6V |
전류 - 조용 (최대) | 1μA |
전류 - 출력 높고 낮은 | 20.6mA, 2.6mA |
입력 논리 레벨 - 낮은 | 0.3V ~ 1.5V |
입력 논리 레벨 - 높습니다 | 1.5V ~ 4.2V |
최대 전파 지연 @ V, 최대 CL | 17ns @ 6V, 50pF |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C |
장착형 | 표면 마운트 |
공급자의 장치 패키지 | 5-SSOP |
패키지 / 케이스 | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 |
기본 제품 번호 | 7S14 |
특징TC7S14FU
• 고속도: tpd = 11 ns (typ.)
• 낮은 전력 소모: ICC = 1 μA (최대) Ta = 25 °C에서
• 높은 소음 저항성: VH = 1.1 V VCC = 5 V
• 출력 드라이브 능력: 5 LSTTL 부하
• 대칭 출력 임피던스:
• 균형 잡힌 전파 지연: tpLH ~ - tpHL
• 넓은 작동 전압 범위: VCC (opr) = 2 ~ 6 V
의 적용TC7S14FU
TC7S14는 실리콘 게이트 C2MOS 기술로 제조된 고속 C2MOS 슈미트 인버터입니다.
환경 및 수출 분류TC7S14FU
ATTRIBUTE | 설명 |
RoHS 상태 | ROHS3 준수 |
수분 민감도 수준 (MSL) | 1 (무제한) |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8542.39.0001 |
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