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상세 정보 |
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| 전압 - DC 반대 (Vr) (맥스): | 60 Ｖ | 경향 - 평균 정류된 (Io): | 4A |
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| 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 3 A에 있는 630 mV | 속도: | 패스트 리커버리 =< 500 나노 초, > 200mA (Io) |
| 경향 - Vr에 있는 역누출: | 60 Ｖ에 있는 3 마 | Vr, Ｆ에 있는 전기 용량: | - |
| 작동 온도 - 결합: | -65' Ｃ ~ 150' Ｃ | ||
제품 설명
MBRAF360T3G 전자 부품 다이오드 60V 4A 표면 장착 SMA-FL
스펙 MBRAF360T3G
| 유형 | 설명 |
| 분류 | 디스크리트 반도체 제품 |
| 다이오드 | |
| 정제기 | |
| 단일 다이오드 | |
| Mfr | 반 |
| 시리즈 | - |
| 패키지 | 테이프 & 롤 (TR) |
| 절단 테이프 (CT) | |
| 기술 | 스코트키 |
| 전압 - DC 역전 (Vr) (최대) | 60V |
| 전류 - 평균 수정 (Io) | 4A |
| 전압 - 앞으로 (Vf) (최대) | 630mV @ 3A |
| 속도 | 빠른 회복 = < 500ns, > 200mA (Io) |
| 전류 - 역 누출 @ Vr | 3mA @ 60V |
| 용량 @ Vr, F | - |
| 장착형 | 표면 마운트 |
| 패키지 / 케이스 | DO-221AC, SMA 플래트 리드 |
| 공급자의 장치 패키지 | SMA-FL |
| 작동 온도 - 접점 | -65°C ~ 150°C |
| 기본 제품 번호 | MBRAF360 |
특징MBRAF360T3G
• 공간 제한 애플리케이션을 위한 낮은 프로필 패키지
• 자동 처리용 직사각형 패키지
• 매우 안정적 인 산화물 비활성 결합
• 150°C 가동 단절기 온도
• 스트레스 보호 를 위한 보호 반지
• NRVB 사전은 자동차 및 다른 애플리케이션을 위해 고유의 사이트 및 제어 변경 요구 사항을 요구합니다.
AEC−Q101 자격 및 PPAP 능력
• Pb-Free 및 Halogen-Free 장치
의 적용MBRAF360T3G
이 장치는 큰 영역 금속-실리콘 전력 다이오드에서 Schottky 장벽 원리를 사용합니다.
환경 및 수출 분류MBRAF360T3G
| ATTRIBUTE | 설명 |
| RoHS 상태 | ROHS3 준수 |
| 수분 민감도 수준 (MSL) | 1 (무제한) |
| REACH 상태 | REACH 영향을 받지 않습니다 |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.10.0080 |
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