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상세 정보 |
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| 트랜지스터형: | NPN-달링턴 | 경향 - 수집기 (Ic) (맥스): | 2 A |
|---|---|---|---|
| 전압 - 수집기 방출기 고장 (맥스): | 60 Ｖ | Ib, Ic에 있는 프스 포화 (맥스): | 1mA, 1A에 있는 1.5V |
| 경향 - 집전기 절단 (맥스): | 1μA(ICBO) | Ic, 프스에 있는 직류 전류 이득 (hFE) (민): | 1000 @ 1A, 2V |
| 전원 - 맥스: | 10 Ｗ | 작동 온도: | 150' Ｃ (TJ) |
제품 설명
2SD2143TL 양극 트랜지스터 NPN - 다링턴 60 V 2 A 10 W 표면 장착 CPT3
스펙 2SD2143TL
| 유형 | 설명 |
| 분류 | 디스크리트 반도체 제품 |
| 트랜지스터 | |
| 양극성 (BJT) | |
| 단일 양극 트랜지스터 | |
| Mfr | 롬 반도체 |
| 시리즈 | - |
| 패키지 | 테이프 & 롤 (TR) |
| 절단 테이프 (CT) | |
| 제품 상태 | 새로운 디자인 을 위한 것 이 아니다 |
| 트랜지스터 유형 | NPN - 다링턴 |
| 전류 - 수집기 (Ic) (최대) | 2A |
| 전압 - 컬렉터 발산기 분해 (최대) | 60V |
| Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic | 1.5V @ 1mA, 1A |
| 전류 - 컬렉터 절단 (최대) | 1μA (ICBO) |
| DC 전류 증가 (hFE) (분) @ Ic, Vce | 1000 @ 1A, 2V |
| 전력 - 최대 | 10W |
| 빈도 - 전환 | - |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착형 | 표면 마운트 |
| 패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPak (2 리드 + 탭), SC-63 |
| 공급자의 장치 패키지 | CPT3 |
| 기본 제품 번호 | 2SD2143 |
특징 2SD2143TL
1) 수집기와 기저 사이에 장착된 제너 다이오드.
2) "L"부하로 인한 역전압에 대한 강력한 보호.
3) 베이스와 발산기 사이에 내장된 저항.
4) 내장된 덤퍼 다이오드
환경 및 수출 분류2SD2143TL
| RoHS 상태 | ROHS3 준수 |
| 수분 민감도 수준 (MSL) | 1 (무제한) |
| REACH 상태 | REACH 영향을 받지 않습니다 |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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