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상세 정보 |
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| FET은 타이핑합니다: | 엔-채널 | 기술: | 1채널(모노) |
|---|---|---|---|
| 소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요: | 30V | 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C: | 9A(타) |
| 구동 전압 (Rds를에 민 Rds에 최대한으로 씁니다): | 4.5V, 10V | Id, 브그스에 있는 (맥스) 위의 Rds: | 25m옴 @ 4.5A, 10V |
제품 설명
TPC8067-H,LQ(S) N 채널 30 V 9A (Ta) 1W (Ta) 표면 장착 8-SOP
스펙TPC8067-H,LQ(S)
| 유형 | 설명 |
| 분류 | 디스크리트 반도체 제품 |
| 트랜지스터 | |
| FET, MOSFET | |
| 단일 FET, MOSFET | |
| Mfr | 토시바 반도체 및 저장장치 |
| 시리즈 | U-MOSVII-H |
| 패키지 | 테이프 & 롤 (TR) |
| 제품 상태 | 구식 |
| FET 타입 | N 채널 |
| 기술 | MOSFET (금속산화물) |
| 소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류 - 연속 배수 (Id) @ 25°C | 9A (Ta) |
| 구동 전압 (최대 Rds ON, 최소 Rds ON) | 4.5V, 10V |
| Rds ON (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 4.5A, 10V |
| Vgs(th) (최대) @ Id | 2.3V @ 100μA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 9.5 nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 용량 (Ciss) (Max) @ Vds | 690pF @ 10V |
| FET 특징 | - |
| 전력 분산 (최대) | 1W (Ta) |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착형 | 표면 마운트 |
| 공급자의 장치 패키지 | 8-SOP |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm 너비) |
| 기본 제품 번호 | TPC8067 |
특징 TPC8067-H,LQ(S)
(1) 작고 얇은 패키지
(2) 초고속 전환
(3) 작은 게이트 전하: QSW = 1.9 nC (typ.)
(4) 저수출 소스 켜기 저항: RDS ((ON) = 26mΩ (typ.) (VGS = 4.5 V)
(5) 낮은 누출 전류: IDSS = 10 μA (최대) (VDS = 30 V)
(6) 강화 모드: Vth = 1.3 ~ 2.3 V (VDS = 10 V, ID = 0.1 mA)
의 적용 TPC8067-H,LQ(S)
• 고효율의 DC-DC 변환기
• 노트북 컴퓨터
• 휴대전화
환경 및 수출 분류TPC8067-H,LQ(S)
| ATTRIBUTE | 설명 |
| RoHS 상태 | RoHS 준수 |
| 수분 민감도 수준 (MSL) | 1 (무제한) |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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