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상세 정보 |
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| 주도 구성: | 로우-측 | 채널형: | 독립형 |
|---|---|---|---|
| 운전자들의 번호: | 2 | 게이트 타입: | 엔-채널 MOSFET |
| 전압 - 공급: | 4.5V ~ 18V | 로직 전압 - VIL, VIH: | 0.8V, 2.4V |
| 전류 - 피크 출력 (원천, 싱크): | 4A, 4A | 상승 / 강하 시간 (Typ): | 15 나노 초, 15 나노 초 |
제품 설명
MIC4224YM 낮은 측면 게이트 통합 회로 칩 드라이버 IC 비 역 8-SOIC
스펙 MIC4224YM
| 유형 | 설명 |
| 분류 | 융합 회로 (IC) |
| 전력 관리 (PMIC) | |
| 게이트 드라이버 | |
| Mfr | 마이크로칩 기술 |
| 시리즈 | - |
| 패키지 | 튜브 |
| 구동 구성 | 저쪽 |
| 채널 유형 | 독립적 |
| 운전자 수 | 2 |
| 게이트 타입 | N 채널 MOSFET |
| 전압 - 공급 | 4.5V ~ 18V |
| 논리 전압 - VIL, HIV | 0.8V, 2.4V |
| 전류 - 최고출력 (원, 싱크) | 4A, 4A |
| 입력 타입 | 반전되지 않는 것 |
| 상승 / 하락 시간 (형) | 15초, 15초 |
| 작동 온도 | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| 장착형 | 표면 마운트 |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm 너비) |
| 공급자의 장치 패키지 | 8-SOIC |
| 기본 제품 번호 | MIC4224 |
특징의MIC4224YM
• 4.5V에서 18V 공급 전압 작동 범위
• 높은 피크 소스 / 싱크 전류
VDD = 8V에서 ±3A
VDD = 12V에서 ±4A
• 15ns/15ns 2000pF 부하로 상승 및 하락 시간
• 25ns/35ns (올림/하락) 입력 전파 지연
20ns/45ns (올림/하락)
• 100kΩ 풀업과 함께 활성 높은 드라이버 활성화 입력
• CMOS 및 TTL 논리 입력 및 공급 전압에 독립된 임계치를 허용
• 드라이버 입력 보호 -5V에서 -40mA
• 출력 500mA 이상 역류에 대한 잠금 보호
• 2가지 패키지 옵션으로 업계 표준
∆ ePAD MSOP-8 (θJA = 60°C/W)
8핀 SOIC (θJA = 120°C/W)
• 이중 역전 (MIC4223), 이중 비 역전 (MIC4224) 및 보완 (MIC4225) 으로 제공됩니다.
• 병렬 채널을 통한 이중 출력 드라이브
-40°C에서 +125°C까지의 작동 접점 온도 범위
비명의MIC4224YM
• 고효율 MOSFET 전환
• 스위치 모드 전원 공급 장치
• DC-DC 변환기
• 모터 및 소레노이드 드라이버
• 시계 및 선 운전자
• 동시 직렬기
• 펄스 트랜스포머 드라이브
• D급 스위치 증폭기
환경 및 수출 분류의MIC4224YM
| ATTRIBUTE | 설명 |
| RoHS 상태 | ROHS3 준수 |
| 수분 민감도 수준 (MSL) | 1 (무제한) |
| REACH 상태 | REACH 영향을 받지 않습니다 |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.39.0001 |
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