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상세 정보 |
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| 전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 4.7 Ｖ | 용인성: | ±5% |
|---|---|---|---|
| 전원 - 맥스: | 1 Ｗ | 임피던스 (맥스) (즈스트): | 8옴 |
| 경향 - Vr에 있는 역누출: | 10μA @ 1V | 작동 온도: | -65' Ｃ ~ 200' Ｃ |
제품 설명
1N4732ATR 제너 다이오드 전자 부품 4.7 V 1 W ± 5% 구멍 DO-41을 통해
스펙 1N4732ATR
| 유형 | 설명 |
| 분류 | 디스크리트 반도체 제품 |
| 다이오드 | |
| 젠어 | |
| 단일 제너 다이오드 | |
| Mfr | 반 |
| 시리즈 | - |
| 패키지 | 테이프 & 롤 (TR) |
| 절단 테이프 (CT) | |
| 전압 - 제너 (명) (Vz) | 4.7V |
| 용인성 | ± 5% |
| 전력 - 최대 | 1W |
| 임페던스 (MAX) (Zzt) | 8오엄 |
| 전류 - 역 누출 @ Vr | 10μA @ 1V |
| 작동 온도 | -65°C ~ 200°C |
| 장착형 | 구멍을 통해 |
| 패키지 / 케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 |
| 공급자의 장치 패키지 | DO-41 |
| 기본 제품 번호 | 1N4732 |
환경 및 수출 분류의1N4732ATR
| ATTRIBUTE | 설명 |
| RoHS 상태 | ROHS3 준수 |
| 수분 민감도 수준 (MSL) | 적용되지 않습니다 |
| REACH 상태 | REACH 영향을 받지 않습니다 |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.10.0050 |
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