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상세 정보 |
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| 기술: | 표준 | 전압 - DC 반대 (Vr) (맥스): | 200 Ｖ |
|---|---|---|---|
| 경향 - 평균 정류된 (Io): | 250mA | 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.25V @ 200mA |
| 속도: | 패스트 리커버리 =< 500 나노 초, > 200mA (Io) | 역회복 시간 (트르): | 50 나노 초 |
| 경향 - Vr에 있는 역누출: | 200V에서 100nA | Vr, Ｆ에 있는 전기 용량: | 0V, 1MHz에 있는 1.5pF |
제품 설명
AT91SAM7X512B-AU ARM7® SAM7X 마이크로 컨트롤러 IC 16/32-비트 55MHz 512KB FLASH
스펙 BAV21WS-HE3-18
| 유형 | 설명 |
| 분류 | 디스크리트 반도체 제품 |
| 다이오드 | |
| 정제기 | |
| 단일 다이오드 | |
| Mfr | 비샤이 일반 반도체 - 다이오드 부문 |
| 시리즈 | 자동차, AEC-Q101 |
| 패키지 | 테이프 & 롤 (TR) |
| 절단 테이프 (CT) | |
| 제품 상태 | 액티브 |
| 기술 | 표준 |
| 전압 - DC 역전 (Vr) (최대) | 200V |
| 전류 - 평균 수정 (Io) | 250mA |
| 전압 - 앞으로 (Vf) (최대) | 1.25V @ 200mA |
| 속도 | 빠른 회복 = < 500ns, > 200mA (Io) |
| 역회복 시간 (trr) | 50 ns |
| 전류 - 역 누출 @ Vr | 100nA @ 200V |
| 용량 @ Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
| 장착형 | 표면 마운트 |
| 패키지 / 케이스 | SC-76, SOD-323 |
| 공급자의 장치 패키지 | SOD-323 |
| 작동 온도 - 접점 | 150°C (최대) |
| 기본 제품 번호 | BAV21 |
특징 BAV21WS-HE3-18
* ARM7TDMI ARM Thumb® 프로세서를 탑재합니다
- 고성능 32비트 RISC 아키텍처
- 고밀도 16비트 명령어 세트
- MIPS/Watt에서 선두
- 임베디드ICETM 회로 에뮬레이션, 디버그 통신 채널 지원
* 내부 고속 플래시
- 512 Kbytes (SAM7X512) 256 바이트의 1024 페이지의 두 은행에 조직 (두 배면)
- 256 Kbytes (SAM7X256) 256 바이트의 1024 페이지 (단계) 로 구성
- 128 Kbyte (SAM7X128) 256 바이트의 512 페이지 (단계) 로 조직
- 최악의 경우 최대 30MHz의 단일 사이클 액세스
- 최대 속도로 엄지 손가락 명령 실행을 최적화 Prefetch 버퍼
- 페이지 프로그래밍 시간: 6ms, 페이지 자동 삭제 포함, 전체 삭제 시간: 15ms
- 10,000 쓰기 사이클, 10년 데이터 저장 능력, 부문 잠금 능력, 플래시 보안 비트
- 고속 플래시 프로그래밍 인터페이스
* 내부 고속 SRAM, 최대 속도의 단일 사이클 액세스
- 128Kbytes (SAM7X512)
- 64Kbytes (SAM7X256)
- 32Kbytes (SAM7X128)
의 적용 BAV21WS-HE3-18
케이스: SOD-323
무게: 약 4.3 mg
패키지 코드 / 옵션:
13" 릴 (8mm 테이프) 당 18/10K, 상자당 10K
7인치 스릴 (8mm 테이프) 당 08/3K, 상자당 15K
환경 &수출 분류 BAV21WS-HE3-18
| ATTRIBUTE | 설명 |
| RoHS 상태 | ROHS3 준수 |
| 수분 민감도 수준 (MSL) | 1 (무제한) |
| REACH 상태 | REACH 영향을 받지 않습니다 |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.10.0070 |
