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상세 정보 |
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| 전압 - DC 반대 (Vr) (맥스): | 1000 Ｖ | 경향 - 평균 정류된 (Io): | 1A |
|---|---|---|---|
| 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.7V @ 1A | 속도: | 패스트 리커버리 =< 500 나노 초, > 200mA (Io) |
| 역회복 시간 (트르): | 100 나노 초 | 경향 - Vr에 있는 역누출: | 5μA @ 1000V |
| Vr, Ｆ에 있는 전기 용량: | 4V, 1MHz에 있는 45pF | 작동 온도 - 결합: | -50' Ｃ ~ 150' Ｃ |
제품 설명
ES1M TP 전자 부품 다이오드 1000V 1A 표면 마운트 DO-214AC (HSMA)
스펙 ES1M TP
| 유형 | 설명 |
| 분류 | 디스크리트 반도체 제품 |
| 다이오드 | |
| 정제기 | |
| 단일 다이오드 | |
| Mfr | 마이크로 커머셜 코 |
| 시리즈 | - |
| 패키지 | 테이프 & 롤 (TR) |
| 절단 테이프 (CT) | |
| 기술 | 표준 |
| 전압 - DC 역전 (Vr) (최대) | 1000V |
| 전류 - 평균 수정 (Io) | 1A |
| 전압 - 앞으로 (Vf) (최대) | 1.7V @ 1A |
| 속도 | 빠른 회복 = < 500ns, > 200mA (Io) |
| 역회복 시간 (trr) | 100 ns |
| 전류 - 역 누출 @ Vr | 5μA @ 1000V |
| 용량 @ Vr, F | 45pF @ 4V, 1MHz |
| 장착형 | 표면 마운트 |
| 패키지 / 케이스 | DO-214AC, SMA |
| 공급자의 장치 패키지 | DO-214AC (HSMA) |
| 작동 온도 - 접점 | -50°C ~ 150°C |
| 기본 제품 번호 | ES1M |
특징 ES1M TP
* 하로겐 없는 용품은 요청에 따라 '-HF' 후자를 추가하면 가능합니다.
* 납 없는 완성품/로흐스 컴플라이언트 (참고1) ("P" 후자는 컴플라이언트를 지칭한다. 주문정보 참조)
* 에포시 는 UL 94 V-0 불화성 등급 을 충족 합니다
* 습도 민감도 레벨 1
* 고온 용접: 260qC 10초 동안 터미널에서
* 초고속 복구 시간 높은 효율성
의 적용 ES1M TP
* 운영 온도: -50qC ~ + 150qC
* 저장 온도: -50qC ~ + 150qC
* 최대 열 저항; 15qC/W 융합 납
환경 &수출 분류 ES1M TP
| ATTRIBUTE | 설명 |
| RoHS 상태 | ROHS3 준수 |
| 수분 민감도 수준 (MSL) | 1 (무제한) |
| REACH 상태 | REACH 영향을 받지 않습니다 |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.10.0080 |
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