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상세 정보 |
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| FET 특징: | 논리 레벨 게이츠 | 소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요: | 30V |
|---|---|---|---|
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C: | 3.3A | Id, 브그스에 있는 (맥스) 위의 Rds: | 87mOhm @ 3.3A, 10V |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 250uA에 있는 3V | 게이트는 브그스에 (큐그에게) (맥스)를 청구합니다: | 10nC @ 10V |
| Vds에 있는 입력 커패시턴스 (CIS) (맥스): | 435pF @ 15V | 전원 - 맥스: | 700mW |
제품 설명
FDMA3027PZ 모스페트 배열 30V 3.3A 700mW 표면 장착 6-마이크로FET (2x2)
스펙 FDMA3027PZ
| 유형 | 설명 |
| 분류 | 디스크리트 반도체 제품 |
| 트랜지스터 | |
| FET, MOSFET | |
| FET, MOSFET 배열 | |
| Mfr | 반 |
| 시리즈 | 파워트렌치® |
| 패키지 | 테이프 & 롤 (TR) |
| 절단 테이프 (CT) | |
| 기술 | MOSFET (금속산화물) |
| 구성 | 2P 채널 (두중 채널) |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 |
| 소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류 - 연속 배수 (Id) @ 25°C | 3.3A |
| Rds ON (Max) @ Id, Vgs | 87mOhm @ 3.3A, 10V |
| Vgs(th) (최대) @ Id | 3V @ 250μA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 10nC @ 10V |
| 입력 용량 (Ciss) (Max) @ Vds | 435pF @ 15V |
| 전력 - 최대 | 700mW |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착형 | 표면 마운트 |
| 패키지 / 케이스 | 6-VDFN 노출 패드 |
| 공급자의 장치 패키지 | 6-마이크로FET (2x2) |
| 기본 제품 번호 | FDMA3027 |
특징 FDMA3027PZ
• 최대 RDS (동) = 87m VGS = -10 V, ID = -3.3 A
• 최대 RDS (동) = 152m VGS = -4.5 V, ID = -2.3 A
• HBM ESD 보호 수준 > 2 kV 전형적 (3 참고)
• 낮은 프로파일 − 0.8mm 최대 − 새 패키지 MicroFET 2x2mm
• 이 장치들은 Pb-Free이며 RoHS를 준수합니다.
의 적용 FDMA3027PZ
• 로드 스위치
• 간첩 한 관문 운전자
환경 &수출 분류 FDMA3027PZ
| ATTRIBUTE | 설명 |
| RoHS 상태 | ROHS3 준수 |
| 수분 민감도 수준 (MSL) | 1 (무제한) |
| REACH 상태 | REACH 영향을 받지 않습니다 |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
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