상세 정보 |
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전압 - DC 반대 (Vr) (맥스): | 400 V | 경향 - 평균 정류된 (Io): | 1A |
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전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.25V @ 1A | 속도: | 패스트 리커버리 =< 500 나노 초, > 200mA (Io) |
역회복 시간 (트르): | 75 나노 초 | 경향 - Vr에 있는 역누출: | 5μA @ 400V |
장착형: | 표면 마운트 | 작동 온도 - 결합: | -65' C ~ 175' C |
제품 설명
MURS140T3G 전자 부품 다이오드 400V 1A 표면 장착 SMB
스펙 MURS140T3G
유형 | 설명 |
분류 | 디스크리트 반도체 제품 |
다이오드 | |
정제기 | |
단일 다이오드 | |
Mfr | 반 |
시리즈 | - |
패키지 | 테이프 & 롤 (TR) |
절단 테이프 (CT) | |
기술 | 표준 |
전압 - DC 역전 (Vr) (최대) | 400V |
전류 - 평균 수정 (Io) | 1A |
전압 - 앞으로 (Vf) (최대) | 1.25V @ 1A |
속도 | 빠른 회복 = < 500ns, > 200mA (Io) |
역회복 시간 (trr) | 75 ns |
전류 - 역 누출 @ Vr | 5μA @ 400V |
용량 @ Vr, F | - |
장착형 | 표면 마운트 |
패키지 / 케이스 | DO-214AA, SMB |
공급자의 장치 패키지 | 중소기업 |
작동 온도 - 접점 | -65°C ~ 175°C |
기본 제품 번호 | MURS140 |
특징 MURS140T3G
• J-Bend 리드 를 가진 작은 컴팩트 표면 설치용 패키지
• 자동 처리용 직사각형 패키지
• 고온 유리 비활성 결합
• 낮은 전압 하락 (0.71 ~ 1.05 V Max @ 1.0 A, TJ = 150°C)
• NRVUS 및 SURS8 사전은 고유의 사이트 및 제어 변경 요구 사항을 요구하는 자동차 및 기타 애플리케이션을 위해 AEC-Q101 자격 및 PPAP 기능을 갖습니다.
• 이 장치들은 Pb-Free이며 RoHS를 준수합니다.
의 적용 MURS140T3G
고전압, 고주파 직렬 또는 컴팩트 크기와 무게가 시스템에 중요한 표면 장착 애플리케이션에서 자유 바퀴 및 보호 다이오드로 이상적으로 적합합니다.
환경 &수출 분류 MURS140T3G
ATTRIBUTE | 설명 |
RoHS 상태 | ROHS3 준수 |
수분 민감도 수준 (MSL) | 1 (무제한) |
REACH 상태 | REACH 영향을 받지 않습니다 |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.10.0080 |
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