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상세 정보 |
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| 기억 영역형: | 비휘발성입니다 | 메모리 포맷: | 플래시 |
|---|---|---|---|
| 기술: | 플래시 -도 또한 | 메모리 용량: | 128Mbit |
| 메모리구성: | 16M Ｘ 8 | 기억기접합: | SPI - 쿼드 입출력 |
| 클럭 주파수: | 133 마하즈 | 전압 - 공급: | 2.7V ~ 3.6V |
제품 설명
S25FL128SAGMFB013 FLASH - NOR 메모리 IC 128Mbit SPI - 쿼드 I/O 133 MHz 16-SOIC
스펙 S25FL128SAGMFB013
| 유형 | 설명 |
| 분류 | 융합 회로 (IC) |
| 기억력 | |
| 기억력 | |
| Mfr | 인피니온 테크놀로지 |
| 시리즈 | FL-S |
| 패키지 | 테이프 & 롤 (TR) |
| 절단 테이프 (CT) | |
| 제품 상태 | 액티브 |
| 메모리 타입 | 비휘발성 |
| 메모리 형식 | 플래시 |
| 기술 | 플래시 - NOR |
| 메모리 크기 | 128Mbit |
| 기억 조직 | 16M x 8 |
| 메모리 인터페이스 | SPI - 쿼드 I/O |
| 시계 주파수 | 133 MHz |
| 주기 시간 - 단어, 페이지 | - |
| 전압 - 공급 | 2.7V ~ 3.6V |
| 작동 온도 | -40°C ~ 105°C (TA) |
| 장착형 | 표면 마운트 |
| 패키지 / 케이스 | 16-SOIC (0.295", 7.50mm 너비) |
| 공급자의 장치 패키지 | 16-SOIC |
| 기본 제품 번호 | S25FL128 |
특징 S25FL128SAGMFB013
• 다재다능한 I/O와 함께 CMOS 3.0 V 코어
• 멀티 I/O가 있는 SPI
- SPI 시계의 극성 및 단계 모드 0 및 3
- DDR 옵션
- 확장 주소: 24 또는 32 비트 주소 옵션
- S25FL-A, S25FL-K 및 S25FL-P SPI 가족과 호환되는 일련 명령어 세트 및 발자국
- S25FL-P SPI 가족과 호환되는 멀티 I/O 명령어 세트 및 발자국
• 명령어 읽기
- 정상, 빠른, 듀얼, 쿼드, 빠른 DDR, 듀얼 DDR, 쿼드 DDR
- 오토부트 - 전원을 켜거나 재설정하고 미리 선택한 주소에서 정상 또는 쿼드 읽기 명령을 자동으로 실행
- 구성 정보에 대한 공통 플래시 인터페이스 (CFI) 데이터
의 적용 S25FL128SAGMFB013
인피니온 S25FL128S 및 S25FL256S 장치는 다음과 같은 플래시 비휘발성 메모리 제품입니다.
• MIRRORBITTM 기술 - 각 메모리 배열 트랜지스터 에 두 개의 데이터 비트 를 저장 하는 기술
• 이클립스 아키텍처 - 프로그램 성능을 극적으로 향상시키고 지우는
• 65nm 공정 리토그래피
환경 &수출 분류 S25FL128SAGMFB013
| ATTRIBUTE | 설명 |
| RoHS 상태 | ROHS3 준수 |
| 수분 민감도 수준 (MSL) | 3 (168시간) |
| REACH 상태 | REACH 영향을 받지 않습니다 |
| ECCN | 3A991B1A |
| HTSUS | 8542.32.0071 |
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