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상세 정보 |
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| 기억 영역형: | 비휘발성입니다 | 메모리 포맷: | EPROM |
|---|---|---|---|
| 메모리 용량: | 512Kbit | 메모리구성: | 64K Ｘ 8 |
| 기억기접합: | 대비 | 엑세스 시간: | 100 나노 초 |
| 전압 - 공급: | 4.5V ~ 5.5V | 작동 온도: | 0°C ~ 70°C (TA) |
제품 설명
M27C512-10F1 메모리 IC 512Kbit 병렬 100 ns 28-CDIP 창과 함께 Frit 봉인
스펙 M27C2001-12F1
| 유형 | 설명 |
| 분류 | 융합 회로 (IC) |
| 기억력 | |
| 기억력 | |
| Mfr | STM이크로전자 |
| 시리즈 | - |
| 패키지 | 튜브 |
| 제품 상태 | 구식 |
| 메모리 타입 | 비휘발성 |
| 메모리 형식 | EPROM |
| 기술 | EPROM - UV |
| 메모리 크기 | 512Kbit |
| 기억 조직 | 64K x 8 |
| 메모리 인터페이스 | 병렬 |
| 주기 시간 - 단어, 페이지 | - |
| 접속 시간 | 100 ns |
| 전압 - 공급 | 4.5V ~ 5.5V |
| 작동 온도 | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 장착형 | 구멍을 통해 |
| 패키지 / 케이스 | 28-CDIP (0.600", 15.24mm) 창 |
| 공급자의 장치 패키지 | 28-CDIP 창이 있는 튀김 봉인 |
| 기본 제품 번호 | M27C512 |
특징 M27C2001-12F1
■ 5V ± 10% 공급 전압
■ 접속 시간: 45 ns
■ 낮은 전력 소비 CMOS:
액티브 전류 30mA
대기 전류 100μA
■ 프로그램 전압: 12.75V ± 0.25V
■ 프로그래밍 시간은 약 6초입니다.
■ 전자 서명
제조사 코드: 20h
장치 코드: 3Dh
■ 패키지
에코팩 버전
의 적용 M27C2001-12F1
M27C512은 512 Kbit EPROM으로, 두 가지 범위 UV (우르트라바이올렛 지우기) 및 OTP (한 번 프로그래밍) 에서 제공됩니다.그것은 빠른 턴 아웃 및 패턴 실험이 중요한 요구 사항이있는 응용 프로그램에 이상적으로 적합하며 8 비트로 65536로 조직됩니다..
환경 &수출 분류 M27C2001-12F1
| ATTRIBUTE | 설명 |
| RoHS 상태 | ROHS3 준수 |
| 수분 민감도 수준 (MSL) | 1 (무제한) |
| REACH 상태 | REACH 영향을 받지 않습니다 |
| ECCN | 폐지 |
| HTSUS | 8542.32.0061 |
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