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상세 정보 |
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| FET은 타이핑합니다: | 엔-채널 | 소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요: | 20V |
|---|---|---|---|
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C: | 1.7A (Ta) | 구동 전압 (Rds를에 민 Rds에 최대한으로 씁니다): | 2.5V, 4.5V |
| Id, 브그스에 있는 (맥스) 위의 Rds: | 1.7A, 4.5V에 있는 70mOhm | Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 250uA에 있는 1.5V |
| 게이트는 브그스에 (큐그에게) (맥스)를 청구합니다: | 5nC @ 4.5V | 브그스 (맥스): | ±8V |
| Vds에 있는 입력 커패시턴스 (CIS) (맥스): | 10V에서 310pF | 전력 소모 (맥스): | 500mW (Ta) |
제품 설명
FDN335N N 채널 20 V 1.7A (Ta) 500mW (Ta) 표면 장착 SOT-23-3
스펙 FDN335N
| 유형 | 설명 |
| 분류 | 디스크리트 반도체 제품 |
| 트랜지스터 | |
| FET, MOSFET | |
| 단일 FET, MOSFET | |
| Mfr | 반 |
| 시리즈 | 파워트렌치® |
| 패키지 | 테이프 & 롤 (TR) |
| 절단 테이프 (CT) | |
| FET 타입 | N 채널 |
| 기술 | MOSFET (금속산화물) |
| 소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류 - 연속 배수 (Id) @ 25°C | 1.7A (Ta) |
| 구동 전압 (최대 Rds ON, 최소 Rds ON) | 2.5V, 4.5V |
| Rds ON (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 1.7A, 4.5V |
| Vgs(th) (최대) @ Id | 1.5V @ 250μA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 5nC @ 4.5V |
| Vgs (최대) | ±8V |
| 입력 용량 (Ciss) (Max) @ Vds | 310pF @ 10V |
| FET 특징 | - |
| 전력 분산 (최대) | 500mW (Ta) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착형 | 표면 마운트 |
| 공급자의 장치 패키지 | SOT-23-3 |
| 패키지 / 케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 기본 제품 번호 | FDN335 |
특징 FDN335N
• 1.7 A, 20 V. R DS ((ON) = 0.07 Ω @ V GS = 4.5 V RDS ((ON) = 0.100 Ω @ V GS = 2.5 V
• 낮은 게이트 충전 (3.5nC 전형적)
• 극히 낮은 R DS ((ON) 를 위한 고성능 트렌치 기술
• 높은 전력 및 전류 처리 능력
의 적용 FDN335N
• DC/DC 변환기
• 로드 스위치
환경 &수출 분류 FDN335N
| ATTRIBUTE | 설명 |
| RoHS 상태 | ROHS3 준수 |
| 수분 민감도 수준 (MSL) | 1 (무제한) |
| REACH 상태 | REACH 영향을 받지 않습니다 |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
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