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상세 정보 |
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| 구성: | (이원적인) 2 엔-채널 | 소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요: | 40 Ｖ |
|---|---|---|---|
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C: | 60A | Id, 브그스에 있는 (맥스) 위의 Rds: | 50.8mOhm @ 18.5A, 10V |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 250uA에 있는 2.5V | 게이트는 브그스에 (큐그에게) (맥스)를 청구합니다: | 65nC @ 10V |
| Vds에 있는 입력 커패시턴스 (CIS) (맥스): | 2300pF @ 20V | 전원 - 맥스: | 46W |
제품 설명
SI7938DP-T1-GE3 모스페트 어레이 40V 60A 46W 표면 장착력 PowerPAK® SO-8 듀얼
스펙 SI7938DP-T1-GE3
| 유형 | 설명 |
| 분류 | 디스크리트 반도체 제품 |
| 트랜지스터 | |
| FET, MOSFET | |
| FET, MOSFET 배열 | |
| Mfr | 비샤이 실리코닉스 |
| 시리즈 | 트렌치FET® |
| 패키지 | 테이프 & 롤 (TR) |
| 절단 테이프 (CT) | |
| 기술 | MOSFET (금속산화물) |
| 구성 | 2N 채널 (두중 채널) |
| FET 특징 | - |
| 소스 전압 (Vdss) | 40V |
| 전류 - 연속 배수 (Id) @ 25°C | 60A |
| Rds ON (Max) @ Id, Vgs | 50.8mOhm @ 18.5A, 10V |
| Vgs(th) (최대) @ Id | 2.5V @ 250μA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 65nC @ 10V |
| 입력 용량 (Ciss) (Max) @ Vds | 2300pF @ 20V |
| 전력 - 최대 | 46W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착형 | 표면 마운트 |
| 패키지 / 케이스 | 파워팩® SO-8 듀얼 |
| 공급자의 장치 패키지 | 파워팩® SO-8 듀얼 |
| 기본 제품 번호 | SI7938 |
특징 SI7938DP-T1-GE3
• TrenchFET® 전력 MOSFET
• 100% Rg 및 UIS 테스트
의 적용 SI7938DP-T1-GE3
• POL
• DC/DC
환경 &수출 분류 SI7938DP-T1-GE3
| ATTRIBUTE | 설명 |
| RoHS 상태 | ROHS3 준수 |
| 수분 민감도 수준 (MSL) | 1 (무제한) |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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