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상세 정보 |
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| 기억 영역형: | 휘발성 물질 | 기술: | SDRAM - 모바일 LPDDR2 |
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| 메모리 용량: | 1Gbit | 메모리구성: | 32M Ｘ 32 |
| 기억기접합: | 대비 | 클럭 주파수: | 533 마하즈 |
| 전압 - 공급: | 1.14V ~ 1.95V | 작동 온도: | -40' Ｃ ~ 85' Ｃ (TC) |
제품 설명
EDB1332BDBH-1DIT-F-R SDRAM 모바일 LPDDR2 메모리 IC 1Gbit 평행 533 MHz
스펙 EDB1332BDBH-1DIT-F-R
| 유형 | 설명 |
| 분류 | 융합 회로 (IC) |
| 기억력 | |
| 기억력 | |
| Mfr | 미크론 기술 |
| 시리즈 | - |
| 패키지 | 테이프 & 롤 (TR) |
| 메모리 타입 | 휘발성 |
| 메모리 형식 | DRAM |
| 기술 | SDRAM - 모바일 LPDDR2 |
| 메모리 크기 | 1Gbit |
| 기억 조직 | 32M x 32 |
| 메모리 인터페이스 | 평행 |
| 시계 주파수 | 533 MHz |
| 주기 시간 - 단어, 페이지 | - |
| 전압 - 공급 | 1.14V ~ 1.95V |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TC) |
| 장착형 | 표면 마운트 |
| 패키지 / 케이스 | 134-VFBGA |
| 공급자의 장치 패키지 | 134-VFBGA (10x11.5) |
| 기본 제품 번호 | EDB1332 |
환경 및 수출 분류EDB1332BDBH-1DIT-F-R
| ATTRIBUTE | 설명 |
| RoHS 상태 | ROHS3 준수 |
| 수분 민감도 수준 (MSL) | 3 (168시간) |
| REACH 상태 | REACH 영향을 받지 않습니다 |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.32.0032 |
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