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상세 정보 |
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| FET은 타이핑합니다: | 엔-채널 | 기술: | MOSFET (금속 산화물) |
|---|---|---|---|
| 소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요: | 100 Ｖ | 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C: | 4.5A (Ta) |
| 구동 전압 (Rds를에 민 Rds에 최대한으로 씁니다): | 6V, 10V | Id, 브그스에 있는 (맥스) 위의 Rds: | 4.5A, 10V에 있는 60mOhm |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 250uA에 있는 4V | 게이트는 브그스에 (큐그에게) (맥스)를 청구합니다: | 10 Ｖ에 있는 15 nC |
제품 설명
FDS3692 N 채널 100 V 4.5A (Ta) 2.5W (Ta) 표면 장착 8-SOIC
스펙 FDS3692
| 유형 | 설명 |
| 분류 | 디스크리트 반도체 제품 |
| 트랜지스터 | |
| FET, MOSFET | |
| 단일 FET, MOSFET | |
| Mfr | 반 |
| 시리즈 | 파워트렌치® |
| 패키지 | 테이프 & 롤 (TR) |
| 절단 테이프 (CT) | |
| FET 타입 | N 채널 |
| 기술 | MOSFET (금속산화물) |
| 소스 전압 (Vdss) | 100V |
| 전류 - 연속 배수 (Id) @ 25°C | 4.5A (Ta) |
| 구동 전압 (최대 RDS ON, 최소 Rds ON) | 6V, 10V |
| Rds ON (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 4.5A, 10V |
| Vgs(th) (최대) @ Id | 4V @ 250μA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 용량 (Ciss) (Max) @ Vds | 746pF @ 25V |
| FET 특징 | - |
| 전력 분산 (최대) | 2.5W (Ta) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착형 | 표면 마운트 |
| 공급자의 장치 패키지 | 8-SOIC |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm 너비) |
| 기본 제품 번호 | FDS36 |
특징 FDS3692
rDS ((ON) = 50mΩ (형), VGS = 10V, ID = 4.5A
• Qg ((tot) = 11nC (typ.), VGS = 10V
• 낮은 밀러 요금
• 낮은 QRR 체질 다이오드
• 고주파에서 효율을 최적화
• UIS 능력 (일종 펄스 및 반복 펄스)
의 적용 FDS3692
• DC/DC 변환기 및 오프라인 UPS
• 분산 전력 아키텍처 및 VRM
• 24V 및 48V 시스템에 대한 주요 스위치
• 고전압 동기 정제기
• 직접 주입 / 디젤 주입 시스템
• 42V 자동차 로드 제어
• 전자 밸브 트레인 시스템
환경 및 수출 분류FDS3692
| ATTRIBUTE | 설명 |
| RoHS 상태 | ROHS3 준수 |
| 수분 민감도 수준 (MSL) | 1 (무제한) |
| REACH 상태 | REACH 영향을 받지 않습니다 |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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