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상세 정보 |
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| 패키지: | 트레이 | 기억 영역형: | 비휘발성입니다 |
|---|---|---|---|
| 메모리 포맷: | 플래시 | 기술: | 플래시 - NAND |
| 메모리 용량: | 64Gbit | 메모리구성: | 8G Ｘ 8 |
| 기억기접합: | UFS | 전압 - 공급: | 2.7V ~ 3.6V |
제품 설명
THGAF8G9T43BAIR 플래시 - NAND 메모리 IC 64Gbit UFS 153-VFBGA (11.5x13)
스펙 THGAF8G9T43BAIR
| 유형 | 설명 |
| 분류 | 융합 회로 (IC) |
| 기억력 | |
| 기억력 | |
| Mfr | 키오시아 아메리카, 인크 |
| 시리즈 | 소비자 UFS |
| 패키지 | 트레이 |
| 메모리 타입 | 비휘발성 |
| 메모리 형식 | 플래시 |
| 기술 | 플래시 - NAND |
| 메모리 크기 | 64Gbit |
| 기억 조직 | 8G x 8 |
| 메모리 인터페이스 | UFS |
| 주기 시간 - 단어, 페이지 | - |
| 전압 - 공급 | 2.7V ~ 3.6V |
| 작동 온도 | -25°C ~ 85°C (TC) |
| 장착형 | 표면 마운트 |
| 패키지 / 케이스 | 153-VFBGA |
환경 및 수출 분류THGAF8G9T43BAIR
| ATTRIBUTE | 설명 |
| RoHS 상태 | ROHS3 준수 |
| 수분 민감도 수준 (MSL) | 3 (168시간) |
| REACH 상태 | REACH 영향을 받지 않습니다 |
| ECCN | 3A991B1A |
| HTSUS | 8542.32.0071 |
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