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상세 정보 |
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| 제품 상태: | 활동가 | 프로그램 가능한 디지키: | 검증됩니다 |
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| 기억 영역형: | 비휘발성입니다 | 메모리 포맷: | EEPROM |
| 기술: | EEPROM | 메모리 용량: | 8Kbit |
| 메모리구성: | 1K Ｘ 8 | 기억기접합: | I2C |
제품 설명
M24C08-RMN6TP 전압 억제 다이오드 SMD IC EEPROM 8KBIT I2C 400KHZ 8SOIC 497-8637-1-nd
EEPROM 메모리용 IC 8Kbit I2C 400 킬로 헤르츠 900 나노 초 8 SOIC
M24C08-RMN6TP의 상술
| 타입 | 기술 |
| 범주 | 집적 회로 (ICs) |
| 메모리 | |
| 메모리 | |
| 엠에프르 | 스트미크로일렉트로닉스 |
| 시리즈 | - |
| 패키지 | 테이프 & 릴 (TR) |
| 컷 테이프 (CT) | |
| Digi-Reel® | |
| 제품 상태 | 활동가 |
| 프로그램 가능한 디지키 | 검증됩니다 |
| 기억 영역형 | 비휘발성입니다 |
| 메모리 포맷 | EEPROM |
| 기술 | EEPROM |
| 메모리 용량 | 8Kbit |
| 메모리구성 | 1K Ｘ 8 |
| 기억기접합 | I2C |
| 클럭 주파수 | 400 킬로 헤르츠 |
| 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 | 5명의 부인 |
| 엑세스 시간 | 900 나노 초 |
| 전압 - 공급 | 1.8V ~ 5.5V |
| 작동 온도 | -40' Ｃ ~ 85' Ｃ (TA) |
| 증가하는 타입 | 표면 부착 |
| 패키지 / 건 | 8 SOIC (0.154 ", 3.90 밀리미터 폭) |
| 공급자 소자 패키지 | 8-soic |
| 베이스 상품 다수 | M24C08 |
M24C08-RMN6TP의 특징
다음과 같은 I2C 버스 방식으로 오우 적합한 :
- 400 킬로 헤르츠
- 100 킬로 헤르츠
오우 메모리 어레이 :
- EEPROM의 8 Kbit (1 키로바이트)
- 페이지 크기 : 16 바이트
오우 단전원 :
- M24C08 Ｗ : 2.5 5.5 Ｖ에 대한 Ｖ
- M24C08 Ｒ : 1.8 5.5 Ｖ에 대한 Ｖ
- M24C08 Ｆ : 1.7 (온도 구속 하에) 5.5 Ｖ 1.6 Ｖ에서 5.5 Ｖ에 대한 Ｖ
오우 기입 :
- 5명의 부인 이내에 바이트 기입
- 5명의 부인 이내에 페이지 쓰기
오우 작동 온도 범위 :
- -40 'Ｃ에서 +85 'Ｃ까지!
오우 임의와 연속하는 읽기 모드
오우 기입은 전체 메모리 어레이를 보호합니다
오우 강화한 ESD / 래치 업 방지
400만 기입 사이클 보다 더 오우
200년 데이터 유지 보다 더 오우
M24C08-RMN6TP의 애플리케이션
오우 SO8N (ECOPACK2)
오우 TSSOP8 (ECOPACK2)
오우 UFDFPN8 (ECOPACK2)
오우 UFDFPN5 (ECOPACK2)
오우 WLCSP (ECOPACK2)
환경적이 & M24C08-RMN6TP의 수출 분류
| 특성 | 기술 |
| 로에스 상태 | 순응한 ROHS3 |
| 습도 감지 수준 (MSL) | (제한 없는) 1 |
| 한계 상태 | 한계는 영향을 주지 않았습니다 |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.32.0051 |
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