상세 정보 |
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제품 상태: | 활동가 | 프로그램 가능한 디지키: | 검증됩니다 |
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기억 영역형: | 비휘발성입니다 | 메모리 포맷: | EEPROM |
기술: | EEPROM | 메모리 용량: | 512Kbit |
메모리구성: | 64K X 8 | 기억기접합: | SPI |
제품 설명
M95512-WMN6TP 텔레비젼 다이오드 Smd Ic Eeprom 512kbit Spi 8soic 497-8697-1-Nd
EEPROM 메모리 IC 512Kbit SPI 16 MHz 8-SOIC
사양M95512-WMN6TP
유형 | 설명 |
범주 | 집적 회로(IC) |
메모리 | |
메모리 | |
제조업체 | ST마이크로일렉트로닉스 |
시리즈 | - |
패키지 | 테이프 및 릴(TR) |
컷테이프(CT) | |
Digi-Reel® | |
제품 상태 | 활동적인 |
프로그래밍 가능한 Digi-Key | 검증됨 |
메모리 유형 | 비휘발성 |
메모리 포맷 | EEPROM |
기술 | EEPROM |
메모리 크기 | 512Kbit |
메모리 구성 | 64K x 8 |
메모리 인터페이스 | SPI |
클록 주파수 | 16MHz |
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지 | 5ms |
전압 - 공급 | 2.5V ~ 5.5V |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C(TA) |
장착 유형 | 표면 실장 |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 폭 3.90mm) |
공급자 장치 패키지 | 8-SOIC |
기본 제품 번호 | M95512 |
특징M95512-WMN6TP
• SPI(Serial Peripheral Interface) 버스와 호환 가능
• 메모리 어레이
– EEPROM의 512Kbit(64Kbyte)
– 페이지 크기: 128바이트
– 추가 쓰기 잠금 가능 페이지(식별 페이지)
• 쓰기 시간
– 5ms 이내의 바이트 쓰기
– 5ms 이내 페이지 쓰기
• 쓰기 방지
– 쿼터 배열
– 하프 어레이
– 전체 메모리 배열
• 고속 클록: 16MHz
• 단일 공급 전압:
– M95512-W의 경우 2.5V ~ 5.5V
– M95512-R의 경우 1.8V ~ 5.5V
– M95512-DF의 경우 1.7V ~ 5.5V
• 작동 온도 범위: -40°C ~ +85°C
• 향상된 ESD 보호
• 400만 회 이상의 쓰기 주기
• 200년 이상의 데이터 보존
• 패키지
– SO8N(에코팩2)
– TSSOP8(에코팩2)
– UFDFPN8(에코팩2)
– WLCSP8(에코팩2)
전력 다운 ~의M95512-WMN6TP
전원 차단 중(VCC 공급 전압이 최소 VCC 미만으로 지속적으로 감소함)작동 전압섹션 9 DC 및 AC 매개변수에 정의됨) 장치는 다음과 같아야 합니다.
• 선택 해제됨(칩 선택 S는 VCC에 적용된 전압을 따르도록 허용되어야 함)
• 대기 전원 모드에서(진행 중인 내부 쓰기 주기가 없어야 함)
환경 및 수출 분류M95512-WMN6TP
기인하다 | 설명 |
RoHS 상태 | ROHS3 준수 |
수분 민감도 수준(MSL) | 1(무제한) |
REACH 상태 | REACH 영향 없음 |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8542.32.0051 |
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