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상세 정보 |
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| 전압 - 공급 (Vcc/Vdd): | 1.71V ~ 3.6V | 데이터 변환기: | 자동 예금기 33x16b ; 인수 인도 1x12b |
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| 오실레이터형: | 내부의 | 작동 온도: | -40' Ｃ ~ 105' Ｃ (TA) |
| 증가하는 타입: | 표면 부착 | 패키지 / 건: | 100-LQFP |
| 공급자 소자 패키지: | 100-lqfp (14x14) | 베이스 상품 다수: | MK60DN256 |
제품 설명
MK60DN256VLL10 전압 억제 다이오드 스드 Ic Mcu 32 비트 256kb 플래시 100lqfp
ARM® Cortex®-M4 키네티스 K60 마이크로컨트롤러 IC 32-비트 단일코어 100MHz 256KB (256K x 8) 순간 100-lqfp (14x14)
MK60DN256VLL10의 상술
| 타입 | 기술 |
| 범주 | 집적 회로 (ICs) |
| 내장됩니다 | |
| 마이크로컨트롤러 | |
| 엠에프르 | NXP 미국 Inc. |
| 시리즈 | 키네티스 K60 |
| 패키지 | 트레이 |
| 제품 상태 | 활동가 |
| 프로그램 가능한 디지키 | 검증되지 않습니다 |
| 핵심 프로세서 | ARM® Cortex®-M4 |
| 핵심 사이즈 | 32-비트 단일코어 |
| 속도 | 100MHz |
| 연결성 | 캔뷔스, EBI / EMI, 이더넷, I2C, 적외선 통신 협회, SD, SPI, UART / 범용 동기／비동기 송수신 회로, USB, USB OTG |
| 주변 기기 | DMA, I2S, LVD, 포르, PWM, WDT |
| 입출력의 수 | 66 |
| 프로그램 메모리 규모 | 256KB (256K x 8) |
| 프로그램 메모리 종류 | 플래시 |
| EEPROM 사이즈 | - |
| RAM 사이즈 | 64K Ｘ 8 |
| 전압 - 공급 (Vcc/Vdd) | 1.71V ~ 3.6V |
| 데이터 변환기 | 자동 예금기 33x16b ; 인수 인도 1x12b |
| 오실레이터형 | 내부의 |
| 작동 온도 | -40' Ｃ ~ 105' Ｃ (TA) |
| 증가하는 타입 | 표면 부착 |
| 패키지 / 건 | 100-LQFP |
| 공급자 소자 패키지 | 100-lqfp (14x14) |
| 베이스 상품 다수 | MK60DN256 |
MK60DN256VLL10의 특징
오우 작동 평가는 칩의 작동중의 적용됩니다
오우 취급 평가는 칩이 강화되지 않을 때 적용됩니다
오우는 결코 어떤 칩의 평가를 초과하지 않습니다
정상 작동 동안 오우가 어떤 칩의 운영 소요를 초과하지 않습니다
운영상 행위에 의해 지정된 가치의 사정 거리 안에 오우 상태
오우는 하이 드라이브 강도 (PORTx_PCRn[DSE]=1)를 위해 구성됩니다
MK60DN256VLL10의 애플리케이션
오우 CPU와 시스템 clocks = 100 마하즈
오우 버스 clock = 50 마하즈
오우 플렉스뷔스 clock = 50 마하즈
오우 플래시 clock = 25 마하즈
오우 MCG 방식 : FEI
환경적이 & MK20DN512VLK10R의 수출 분류
| 특성 | 기술 |
| 로에스 상태 | 순응한 ROHS3 |
| 습도 감지 수준 (MSL) | 3 (168 시간) |
| 한계 상태 | 한계는 영향을 주지 않았습니다 |
| ECCN | 3A991A2 |
| HTSUS | 8542.31.0001 |
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