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상세 정보 |
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| 전압 - 공급 (Vcc/Vdd): | 1.8V ~ 3.6V | 데이터 변환기: | A/D 12x12b |
|---|---|---|---|
| 오실레이터형: | 내부의 | 작동 온도: | -40' Ｃ ~ 85' Ｃ (TA) |
| 증가하는 타입: | 표면 부착 | 패키지 / 건: | 64-LQFP |
| 공급자 소자 패키지: | 64-lqfp (10x10)wm, WDT | 베이스 상품 다수: | MSP430FR5989 |
제품 설명
MSP430FR5989IPMR Tvs 다이오드 Smd Ic Mcu 16비트 128kb 프레임 64lqfp
MSP430 CPUXV2 MSP430™ FRAM 마이크로 컨트롤러 IC 16비트 16MHz 128KB(128K x 8) FRAM 64-LQFP(10x10)
MSP430FR5989IPMR 사양
| 유형 | 설명 |
| 범주 | 집적 회로(IC) |
| 임베디드 | |
| 마이크로컨트롤러 | |
| 제조업체 | 텍사스 인스트루먼트 |
| 시리즈 | MSP430™ 프레임 |
| 패키지 | 테이프 및 릴(TR) |
| 컷테이프(CT) | |
| Digi-Reel® | |
| 제품 상태 | 활동적인 |
| 프로그래밍 가능한 Digi-Key | 확인되지 않음 |
| 코어 프로세서 | MSP430 CPUXV2 |
| 코어 크기 | 16비트 |
| 속도 | 16MHz |
| 연결성 | I²C, IrDA, SPI, UART/USART |
| 주변기기 | 절전 감지/재설정, DMA, POR, PWM, WDT |
| I/O 수 | 48 |
| 프로그램 메모리 크기 | 128KB(128K x 8) |
| 프로그램 메모리 유형 | 프램 |
| EEPROM 크기 | - |
| RAM 크기 | 2K x 8 |
| 전압 - 공급(Vcc/Vdd) | 1.8V ~ 3.6V |
| 데이터 변환기 | A/D 12x12b |
| 발진기 유형 | 내부 |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C(TA) |
| 장착 유형 | 표면 실장 |
| 패키지/케이스 | 64-LQFP |
| 공급자 장치 패키지 | 64-LQFP(10x10) |
| 기본 제품 번호 | MSP430FR5989 |
특징MSP430FR5989IPMR
• 차단(LPM4.5): 0.02µA(표준)
• 초저전력 FRAM(Ferroelectric RAM)
• 최대 128KB의 비휘발성 메모리
• 초저전력 쓰기
• 워드당 125ns의 빠른 쓰기(4ms에서 64KB)
• 하나의 공간에 통합 메모리 프로그램 + 데이터 + 스토리지
• 1015 쓰기 주기 내구성
• 내방사성 및 비자성
• 지능형 디지털 주변기기
• 32비트 하드웨어 멀티플라이어(MPY)
• 3채널 내부 직접 메모리 액세스(DMA)
애플리케이션 ~의MSP430FR5989IPMR
•달력 및 알람 기능이 있는 RTC
•16채널 아날로그 비교기
•IrDA 인코딩 및 디코딩
•자동 전송 속도 감지 기능이 있는 UART
환경 및 수출 분류MSP430FR5989IPMR
| 기인하다 | 설명 |
| RoHS 상태 | ROHS3 준수 |
| 수분 민감도 수준(MSL) | 3 (168시간) |
| REACH 상태 | REACH 영향 없음 |
| ECCN | 5A992C |
| HTSUS | 8542.31.0001 |
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