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상세 정보 |
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| 채널 수: | 1 | 전압 - 차단: | 3000Vrms |
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| (민) 공통 모드 트랜지엔트 면역: | 100kV/us | 전달 지연 트플에 / 티피하들 (맥스): | 75 나노 초, 75 나노 초 |
| 펄스 폭 왜곡 (맥스): | 20 나노 초 | 상승 / 강하 시간 (Typ): | 12 나노 초, 10 나노 초 |
| 경향 - 낮은 출력 하이: | 2.4A, 1.1A | 경향 - 피크 출력: | 4.3A |
| 하이 라이트: | 3000Vrms UCC5310MCDWVR 게이트 드라이버,8-SOIC UCC5310MCDWVR 게이트 드라이버,4.3A UCC5310MCDWVR 게이트 드라이버 |
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제품 설명
SN74LVC1G08DCKR 및 게이트 IC 1 채널 SC-70-5 1.65V ~ 5.5V 32mA, 32mA
스펙 UCC5310MCDWVR
| 유형 | 설명 |
| 분류 | 격리장치 |
| 격리기 - 게이트 드라이버 | |
| Mfr | 텍사스 인스트루먼트 |
| 시리즈 | - |
| 패키지 | 테이프 & 롤 (TR) |
| 절단 테이프 (CT) | |
| 디기 릴® | |
| 기술 | 용량 결합 |
| 채널 수 | 1 |
| 전압 - 격리 | 3000Vrms |
| 일반 모드 일시 면역력 (분) | 100kV/μs |
| 증식 지연 tpLH / tpHL (최대) | 75n, 75n |
| 펄스 너비 왜곡 (최대) | 20n |
| 상승 / 하락 시간 (형) | 12초, 10초 |
| 전류 - 출력 높고 낮은 | 2.4A, 1.1A |
| 전류 - 최고출력 | 4.3A |
| 전압 - 앞으로 (Vf) (형) | - |
| 전압 - 출력 공급 | 13.2V ~ 33V |
| 작동 온도 | -40°C ~ 125°C |
| 장착형 | 표면 마운트 |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.295", 7.50mm 너비) |
| 공급자의 장치 패키지 | 8-SOIC |
| 승인 기관 | CQC, UR, VDE |
| 기본 제품 번호 | UCC5310 |
특징UCC5310MCDWVR
• 기능 선택
분산 출력 (UCC53x0S)
UVLO GND2 (UCC53x0E) 에 참조
밀러 클램프 옵션 (UCC53x0M)
• 8핀 D (4mm 크리페이지) 및 DWV (8.5mm 크리페이지) 패키지
• 60 ns (유례적) 전파 지연
100kV/μs 최소 CMTI
• 격리 장벽 수명 > 40 년
• 3V ~ 15V 입력 공급 전압
• 최대 33V 드라이버 공급 전압 8V 및 12V UVLO 옵션
• 입력 핀에 부정적인 5V 처리 능력
안전 관련 인증: DIN V VDE V 0884-11:2017-01 및 DIN EN 61010-1에 따라 7000-VPK 격리 DWV (계획) 및 4242-VPK 격리 D
5000-VRMS DWV 및 3000-VRMS D 격리 등급 UL 1577 당 1분 동안
GB4943.1-2011 D 및 DWV에 따른 CQC 인증 (계획)
• CMOS 입력
• 작동 온도: 40°C ~ + 125°C
도입UCC5310MCDWVR
• 모터 드라이브
• 고전압 DC-DC 변환기
• UPS 및 PSU
• HEV 및 EV 전원 모듈
• 태양광 인버터
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