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상세 정보 |
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| 패키지: | 테이프 & 릴 (TR) | 제품 상태: | 퇴역항공기 |
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| 기억 영역형: | 휘발성 물질 | 메모리 포맷: | DRAM |
| 기술: | SDRAM - DDR2 | 메모리 용량: | 256Mbit |
| 메모리구성: | 16M Ｘ 16 | 기억기접합: | 대비 |
제품 설명
MT47H16M16BG-3IT :비 트랜지스터 IC 칩 Ic Dram 256mbit 대비 84 에프비지에이
SDRAM - DDR2 메모리용 IC 256Mbit 대비 333 마하즈 450 추신 84 에프비지에이 (8x14)
MT47H16M16BG-3IT의 상술 :비
| 타입 | 기술 |
| 범주 | 집적 회로 (ICs) |
| 메모리 | |
| 메모리 | |
| 엠에프르 | 마이크론 테크놀러지. |
| 시리즈 | - |
| 패키지 | 테이프 & 릴 (TR) |
| 제품 상태 | 퇴역항공기 |
| 기억 영역형 | 휘발성 물질 |
| 메모리 포맷 | DRAM |
| 기술 | SDRAM - DDR2 |
| 메모리 용량 | 256Mbit |
| 메모리구성 | 16M Ｘ 16 |
| 기억기접합 | 대비 |
| 클럭 주파수 | 333 마하즈 |
| 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 | 15 나노 초 |
| 엑세스 시간 | 450이지 추신 |
| 전압 - 공급 | 1.7V ~ 1.9V |
| 작동 온도 | -40' Ｃ ~ 95' Ｃ (TC) |
| 증가하는 타입 | 표면 부착 |
| 패키지 / 건 | 84-에프비지에이 |
| 공급자 소자 패키지 | 84-에프비지에이 (8x14) |
| 베이스 상품 다수 | MT47H16M16 |
MT47H16M16BG-3IT의 특징 :비
오우 Vdd = +1.8V ±0.1V, VddQ = +1.8V ±0.1V
오우 JEDEC-표준 1.8V 입출력 (SSTL_18-compatible)
오우 차분 데이터 섬광 촬영 장치 (DQS, DQS#) 선택
오우 4n 비트는 구조를 미리 불러옵니다
x8에 대한 오우 복제품 출력 스트로브 (RDQS) 선택
오우 DLL이 DQ와 DQS 변화를 CK과 정렬합니다
동시 연산을 위한 오우 4 내부 뱅크
오우 프로그램 가능한 카스 레이턴시 (CL)
오우 계속된 CAS 부가적 레이턴시 (AL)
오우 라이트 레이턴시 = 판독 레이턴시 - 1 ㈜티씨케이
오우 선택 가능한 버스트 길이 (BL) : 4 또는 8
오우 조정할 수 있는 데이터 출력 구동 세기
오우 64 부인 콤마 8,192 사이클 새로 고침
오우 온다이 종료 (ODT)
오우 산업적 온도 (IT) 선택
오우 자동차 온도 (AT) 선택
순응한 오우 로에스
오우 지원 JEDEC 클럭 지터 상술
MT47H16M16BG-3IT의 자동차 온도 :비
The automotive temperature (AT) option, if offered, has two simultaneous requirements: ambient temperature surrounding the device cannot be less than –40°C or greater than +105°C, and the case temperature cannot be less than –40°C or greater than +105°C. JEDEC specifications require the refresh rate to double when TC exceeds +85°C; this also requires use of the high-temperature self refresh option. Additionally, ODT resistance and the input/output impedance must be derated when TC is < 0=""> +85°C.
환경적이 & MT47H16M16BG-3IT의 수출 분류 :비
| 특성 | 기술 |
| 로에스 상태 | 순응한 ROHS3 |
| 습도 감지 수준 (MSL) | 3 (168 시간) |
| 한계 상태 | 한계는 영향을 주지 않았습니다 |
| ECCN | 3A991B2A |
| HTSUS | 8542.32.0024 |
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