상세 정보 |
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엠에프르: | 인피니언 테크놀러지 | 시리즈: | 에아사이팩티엠 |
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패키지: | 트레이 | 제품 상태: | 활동가 |
IGBT 유형: | 트렌치 필드 정류장 | 구성: | 풀-브리지 인버터 |
전압 - 수집기 방출기 고장 (맥스): | 650V | 경향 - 수집기 (Ic) (맥스): | 55 A |
하이 라이트: | F450R07W1H3B11ABOMA1,IC 칩 Igbt 모듈,650V 집적 회로 IC 칩 |
제품 설명
F450R07W1H3B11ABOMA1 직접 회로 IC 칩 Igbt 모듈
IGBT 모듈 Trench Field Stop 풀 브리지 인버터 650V 55A 200W 섀시 실장 모듈
사양 F450R07W1H3B11ABOMA1
유형 | 설명 |
범주 | 이산 반도체 제품 |
트랜지스터 | |
IGBT | |
IGBT 모듈 | |
제조업체 | 인피니언 테크놀로지스 |
시리즈 | 이지팩™ |
패키지 | 쟁반 |
제품 상태 | 활동적인 |
IGBT 유형 | 트렌치 필드 정류장 |
구성 | 풀 브리지 인버터 |
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대) | 650V |
전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 55A |
전력 - 최대 | 200W |
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 25A |
전류 - 컬렉터 컷오프(최대) | 50µA |
입력 커패시턴스(Cies) @ Vce | 3.25nF @ 25V |
입력 | 기준 |
NTC 서미스터 | 예 |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) |
장착 유형 | 섀시 마운트 |
패키지/케이스 | 기준 치수 |
공급자 장치 패키지 | 기준 치수 |
기본 제품 번호 | F450R07 |
특징F450R07W1H3B11ABOMA1
• 차단 전압 용량을 650V로 증가
• 고속 IGBT H3
• 저유도 설계
• 낮은 스위칭 손실
• 낮은 VCEsat
• 2.5kV AC 1분 절연
• 높은 연면 거리 및 여유 거리
• PressFIT 접촉 기술
• RoHS 준수
• 통합 마운팅으로 인한 견고한 마운팅
클램프
의 응용F450R07W1H3B11ABOMA1
• 자동차 애플리케이션
• 고주파 스위칭 애플리케이션
• DC/DC 컨버터
• 보조 인버터
• 하이브리드 전기 자동차(H)EV
• 유도 가열 및 용접
환경 및 수출 분류F450R07W1H3B11ABOMA1
기인하다 | 설명 |
RoHS 상태 | ROHS3 준수 |
수분 민감도 수준(MSL) | 1(무제한) |
REACH 상태 | REACH 영향 없음 |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.29.0095 |
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