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상세 정보 |
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| 제품 상태: | 활동가 | 핵심 프로세서: | 엔-채널 |
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| 기술: | MOSFET (금속 산화물) | 소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요: | 80 Ｖ |
| 경향 - 25' Ｃ에 있는 연속배수 (Id): | 50A (Tc) 범용 동기／비동기 송수신 회로 | 구동 전압 (Rds를에 민 Rds에 최대한으로 씁니다): | 10V |
| Id, 브그스에 있는 (맥스) 위의 Rds: | 50A, 10V에 있는 13.4mOhm | Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 250uA에 있는 4V |
| 하이 라이트: | FDWS86380-F085,Mosfet IC 회로 칩,N-CH 80V 50A POWER56 |
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제품 설명
FDWS86380-F085 범용 계전기 Mosfet N-Ch 80v 50a Power56
N 채널 80V 50A(Tc) 75W(Tj) 표면 실장 전원56
사양FDWS86380-F085
| 유형 | 설명 |
| 범주 | 이산 반도체 제품 |
| 트랜지스터 | |
| FET, MOSFET | |
| 단일 FET, MOSFET | |
| 제조업체 | 온세미 |
| 시리즈 | 자동차, AEC-Q101, PowerTrench® |
| 패키지 | 테이프 및 릴(TR) |
| 컷테이프(CT) | |
| 제품 상태 | 활동적인 |
| FET 유형 | N채널 |
| 기술 | MOSFET(금속 산화물) |
| 드레인-소스 전압(Vdss) | 80V |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(티씨) |
| 드라이브 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) | 10V |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 13.4m옴 @ 50A, 10V |
| Vgs(일)(최대) @ Id | 4V @ 250µA |
| 게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Vgs(최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | 1440pF @ 40V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실(최대) | 75W(티요이) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| 장착 유형 | 표면 실장 |
| 공급자 장치 패키지 | 파워56 |
| 패키지/케이스 | 8-PowerTDFN |
| 기본 제품 번호 | FDWS86380 |
특징FDWS86380-F085
• 일반 RDS(on) = VGS = 10V에서 11.3m;ID = 50A
• Typ Qg(tot) = VGS = 10V에서 20nC;ID = 50A
• UIS 기능
• 자동 광학 검사(AOI)를 위한 웨터블 플랭크
• AEC−Q101 인증 및 PPAP 가능
• 이 장치는 무연, 할로겐 무함유/BFR 무함유이며 RoHS 규격을 준수합니다.
의 응용FDWS86380-F085
• 자동차 엔진 제어
• 파워트레인 관리
• 솔레노이드 및 모터 드라이버
• 전자 스티어링
• 통합 시동기/교류기
• 분산 전력 아키텍처 및 VRM
• 12V 시스템용 기본 스위치
환경 및 수출 분류FDWS86380-F085
| 기인하다 | 설명 |
| RoHS 상태 | ROHS3 준수 |
| 수분 민감도 수준(MSL) | 1(무제한) |
| REACH 상태 | REACH 영향 없음 |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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