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상세 정보 |
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| 제품 상태: | 퇴역항공기 | 프로그램 가능한 디지키: | 검증되지 않습니다 |
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| 주도 구성: | 하프-브리지 | 채널형: | 독립형 |
| 운전자들의 번호: | 2 | 게이트 타입: | 엔-채널 MOSFET |
| 전압 - 공급: | 9V ~ 14V | 로직 전압 - VIL, VIH: | 2.3V, - |
제품 설명
LM5101AMX 범용은 Ic 게이트 드라이브르 하프-브리지 8soic을 전달합니다
하프-브리지 게이트 드라이버 IC 비반전 8-soic
LM5101AMX의 상술
| 타입 | 기술 |
| 범주 | 집적 회로 (ICs) |
| 전원관리 (PMIC) | |
| 게이트 드라이버 | |
| 엠에프르 | 텍사스 인스트루먼츠 사 |
| 시리즈 | - |
| 패키지 | 테이프 & 릴 (TR) |
| 컷 테이프 (CT) | |
| Digi-Reel® | |
| 제품 상태 | 퇴역항공기 |
| 프로그램 가능한 디지키 | 검증되지 않습니다 |
| 주도 구성 | 하프-브리지 |
| 채널형 | 독립형 |
| 운전자들의 번호 | 2 |
| 게이트 타입 | 엔-채널 MOSFET |
| 전압 - 공급 | 9V ~ 14V |
| 로직 전압 - VIL, VIH | 2.3V, - |
| 전류 - 피크 출력 (원천, 싱크) | 3A, 3A |
| 입력 유형 | 비반전 |
| 높은 쪽 전압 - 맥스 (띄우기) | 118 Ｖ |
| 상승 / 강하 시간 (Typ) | 430 나노 초, 260 나노 초 |
| 작동 온도 | -40' Ｃ ~ 125' Ｃ (TJ) |
| 증가하는 타입 | 표면 부착 |
| 패키지 / 건 | 8 SOIC (0.154 ", 3.90 밀리미터 폭) |
| 공급자 소자 패키지 | 8-soic |
| 베이스 상품 다수 | LM5101 |
LM5101AMX의 특징
양쪽 고전위측과 로우-측 엔 오우 드라이브?채널 MOSFET
오우 독립적 높고 낮은 운전자 논리 입력
오우 띄우기 공급 전압 최고 118V까지 DC
오우는 전달 속도 (전형적인 25 나노 초)을 금식시킵니다
오우 드라이브 1000 pF는 8 나노 초 상승과 하강 시간을 싣습니다
오우 우수한 증식 지연 매칭 (전형적인 3 나노 초)
오우 서플라이 레일 부족 전압 로크 아웃
오우 저 전력 소모
HIP2100/HIP2101과 오우 핀 호환
LM5101AMX의 애플리케이션
오우 현재 연방 푸쉬풀 방식 변환기
오우 절반과 풀 브리지 주파수 변환 장치
오우 동기식 벅 변환기
오우 두 스위치 전방향 전력 변환기
액티브 클램프 컨버터와 오우 포워드
환경적이 & LM5101AMX의 수출 분류
| 특성 | 기술 |
| 로에스 상태 | 비 컴플라이언트한 로에스 |
| 습도 감지 수준 (MSL) | (제한 없는) 1 |
| 한계 상태 | 한계는 영향을 주지 않았습니다 |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.39.0001 |
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