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상세 정보 |
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| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지: | 15 나노 초 | 엑세스 시간: | 400이지 추신 |
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| 전압 - 공급: | 1.7V ~ 1.9V | 작동 온도: | -40' Ｃ ~ 85' Ｃ (TA) |
| 증가하는 타입: | 표면 부착 | 패키지 / 건: | 84-tfbga |
| 공급자 소자 패키지: | 84-twbga (8x12.5) | 베이스 상품 다수: | IS43DR16640 |
| 하이 라이트: | IS43DR16640B-25DBLI-TR IC DRAM,IC DRAM 1GBIT 병렬 84TWBGA,DRAM IC 1GBIT 병렬 84TWBGA |
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제품 설명
Is25lp040e-Jnle-Tr 무선 Rf 모듈 Ic 플래시 4mbit Spi/Quad 8soic
Is43dr16640b-25dbli-Tr 무선 Rf 모듈 Ic 드램 1gbit 병렬 84twbga
SDRAM - DDR2 메모리 IC 1Gbit 병렬 400MHz 400ps 84-TWBGA(8x12.5)
사양 Is43dr16640b-25dbli-TR
| 유형 | 설명 |
| 범주 | 집적 회로(IC) |
| 메모리 | |
| 메모리 | |
| 제조업체 | ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc |
| 시리즈 | - |
| 패키지 | 테이프 및 릴(TR) |
| 제품 상태 | 새로운 디자인이 아님 |
| 프로그래밍 가능한 Digi-Key | 확인되지 않음 |
| 메모리 유형 | 휘발성 물질 |
| 메모리 포맷 | 음주 |
| 기술 | SDRAM - DDR2 |
| 메모리 크기 | 1Gbit |
| 메모리 구성 | 64M x 16 |
| 메모리 인터페이스 | 평행한 |
| 클록 주파수 | 400MHz |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지 | 15ns |
| 액세스 시간 | 400ps |
| 전압 - 공급 | 1.7V ~ 1.9V |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C(TA) |
| 장착 유형 | 표면 실장 |
| 패키지/케이스 | 84-TFBGA |
| 공급자 장치 패키지 | 84-TWBGA(8x12.5) |
| 기본 제품 번호 | IS43DR16640 |
특징Is43dr16640b-25dbli-TR
최대 400MHz의 클록 주파수
동시 작동을 위한 8개의 내부 뱅크
4비트 프리페치 아키텍처
프로그래밍 가능한 CAS 대기 시간: 3, 4, 5, 6 및 7
프로그래밍 가능한 추가 대기 시간: 0, 1, 2, 3, 4,5그리고 6
쓰기 대기 시간 = 읽기 대기 시간-1
프로그래밍 가능한 버스트 시퀀스: 순차 또는인터리브
프로그래밍 가능한 버스트 길이: 4 및 8
자동 및 제어 사전 충전 명령
전원 끄기 모드
자동 새로 고침 및 자체 새로 고침
새로고침 간격: 7.8s(8192주기/64ms)
ODT(온 다이 터미네이션)
약한 강도 데이터 출력 드라이버 옵션
양방향 차동 데이터 스트로브(Singleended data-strobe는 선택적 기능입니다.)
온칩 DLL은 DQ 및 DQ 전환을 정렬합니다.~와 함께CK 전환
단일 종단 데이터에 대해 DQS#을 비활성화할 수 있습니다.스트로보
Read Data Strobe 지원(x8 전용)
차동 클록 입력 CK 및 CK#
VDD 및 VDDQ = 1.8V ± 0.1V
PASR(부분 어레이 자체 새로 고침)
애플리케이션~의Is43dr16640b-25dbli-TR
SSTL_18 인터페이스
tRAS 잠금 지원
작동 온도:상업용(TA = 0°C ~ 70°C, TC = 0°C ~섭씨 85도)산업용(TA = -40°C ~ 85°C, TC = -40°C~ 95°C)자동차, A1(TA = -40°C ~ 85°C, TC = -40°C ~ 95°C)자동차, A2(TA = -40°C ~ 105°C, TC = -40°C ~섭씨 105도)
환경 및 수출 분류Is43dr16640b-25dbli-TR
| 기인하다 | 설명 |
| RoHS 상태 | ROHS3 준수 |
| 수분 민감도 수준(MSL) | 3 (168시간) |
| REACH 상태 | REACH 영향 없음 |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.32.0032 |
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