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상세 정보 |
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| 전압 - DC 반대 (Vr) (맥스): | 60 Ｖ | 경향 - 평균 정류된 (Io): | 8A |
|---|---|---|---|
| 전압 - 앞 (Vf) (최대) @If): | 800mV @ 8A | 속도: | 패스트 리커버리 =< 500 나노 초, > 200mA (Io) |
| 경향 - Vr에 있는 역누출: | 150μA @ 60V | 장착형: | 표면 마운트 |
제품 설명
MBR860MFST1G 다이오드 60V 8A 표면 마운트 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
스펙 MBR860MFST1G
| 유형 | 설명 |
| 분류 | 디스크리트 반도체 제품 |
| 다이오드 | |
| 정제기 | |
| 단일 다이오드 | |
| Mfr | 반 |
| 시리즈 | - |
| 패키지 | 테이프 & 롤 (TR) |
| 절단 테이프 (CT) | |
| 기술 | 스코트키 |
| 전압 - DC 역전 (Vr) (최대) | 60V |
| 전류 - 평균 수정 (Io) | 8A |
| 전압 - 앞으로 (Vf) (최대) | 800mV @ 8A |
| 속도 | 빠른 회복 = < 500ns, > 200mA (Io) |
| 전류 - 역 누출 @ Vr | 150μA @ 60V |
| 용량 @ Vr, F | - |
| 장착형 | 표면 마운트 |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerTDFN, 5 리드 |
| 공급자의 장치 패키지 | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| 작동 온도 - 접점 | -55°C ~ 175°C |
| 기본 제품 번호 | MBR860 |
MBR860MFST1G의 특징
• 낮은 전력 손실 / 높은 효율성
• 새로운 패키지는 보드 설치 후 검사 및 탐사 능력을 제공합니다.
• 스트레스 를 예방 하기 위한 보호 반지
• 전압 하락
• 175°C 가동 단절기 온도
• 수분 가용 덩어리 선택 가능
• NRVB 사전: 자동차 및 다른 애플리케이션에 대한 고유의 사이트 및 제어 변경 요구 사항; AEC-Q101 자격 및 PPAP 능력
• Pb-Free 장치입니다.
설명MBR860MFST1G
• 케이스: 에포시, 폼
• 에포시 는 발화성 UL 94−0 @ 0.125 in.
• 납 가공: 100% 매트 Sn (Tin)
• 용접 목적으로 납 및 장착 표면 온도: 260°C 최대 10 초 동안
• 장치는 MSL 1 요구 사항을 충족합니다.
환경 및 수출 분류MBR860MFST1G
| ATTRIBUTE | 설명 |
| RoHS 상태 | ROHS3 준수 |
| 수분 민감도 수준 (MSL) | 1 (무제한) |
| REACH 상태 | REACH 영향을 받지 않습니다 |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.10.0080 |
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