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상세 정보 |
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| 경향 - 출력 / 채널: | 30A | 경향 - 피크 출력: | 65A |
|---|---|---|---|
| 전압 - 공급: | 4.5V ~ 5.5V | 전압 - 부하: | 4.5V ~ 24V |
| 작동 온도: | -40' Ｃ ~ 150' Ｃ (TJ) | 특징: | 부트스트랩 회로, 다이오드 에뮬레이션 |
제품 설명
CSD97396Q4MT 반 브릿지 드라이버 동기 변환기 전원 MOSFET 8-VSON
스펙 CSD97396Q4MT
| 유형 | 설명 |
| 분류 | 융합 회로 (IC) |
| 전력 관리 (PMIC) | |
| 전체 반 브리지 운전자 | |
| Mfr | 텍사스 인스트루먼트 |
| 시리즈 | 넥스페트TM |
| 패키지 | 테이프 & 롤 (TR) |
| 절단 테이프 (CT) | |
| 출력 구성 | 하프 브리지 |
| 신청서 | 동시 바크 변환기 |
| 인터페이스 | PWM |
| 부하 유형 | 인덕티브 |
| 기술 | 전력 MOSFET |
| Rds ON (형) | - |
| 전류 - 출력 / 채널 | 30A |
| 전류 - 최고출력 | 65A |
| 전압 - 공급 | 4.5V ~ 5.5V |
| 전압 - 부하 | 4.5V ~ 24V |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 특징 | 부트스트랩 회로, 다이오드 에뮬레이션 |
| 결함 보호 | 샷 트러스 |
| 장착형 | 표면 마운트 |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerVFDFN |
| 공급자의 장치 패키지 | 8-VSON (3.5x4.5) |
| 기본 제품 번호 | CSD97396 |
특징CSD97396Q4MT
* 15A에서 93% 이상의 시스템 효율성
* 최대 명산 연속 전류 30A, 최고 전류 65A
* 높은 주파수 작동 (2MHz까지)
* 높은 밀도 - SON 3.5mm x 4.5mm 발자국
* 초저 인덕턴스 패키지
* 시스템 최적화된 PCB 발자국
* 초저静止 (ULQ) 전류 모드
* 3.3V 및 5V PWM 신호 호환
* FCCM로 다이오드 에뮬레이션 모드
* 입력 전압 최대 24V
* 3주상 PWM 입력
* 통합 부트스트랩 다이오드
* 총을 쏘는 보호
* RoHS 컴플라이언스 - 납 없는 터미널 플래팅
* 알로겐 없는
의 적용CSD97396Q4MT
* 울트라북/노트북 DC/DC 변환기
* 다단계 V코어 및 DDR 솔루션
* 네트워크 통신 및 컴퓨팅 시스템에서 부하점 동기 벅
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