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상세 정보 |
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| 제품 상태 스위치 회로: | 활동가 | 스위치 회로: | SPDT |
|---|---|---|---|
| 멀티플렉서 / 디멀티플렉서 회로: | 2:01 | 회로의 수: | 4 |
| 온-상태 저항 (맥스): | 450mOhm | 채널 대 채널 정합 (ΔRon): | 50mOhm |
| 전압 - 공급, 한 개의 (V+): | 1.65V ~ 4.3V | 스위치 시간 (톤, 신사) (맥스): | 23 나노 초, 32 나노 초 |
| 하이 라이트: | TS3A44159RGTR,16VQFN 파워 스위치 아이씨,450MOHM 파워 스위치 아이씨 |
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제품 설명
TS3A44159RGTR 전원 스위치 Ics Ic 스위치 Spdtx4 450 모흠 16vqfn
4 회로 IC 스위치 2:1 450mOhm 16-vqfn (3x3)
TS3A44159RGTR의 상술
| 타입 | 기술 |
| 범주 | 집적 회로 (ICs) |
| 인터페이스 | |
| 아날로그 스위치, 멀티플렉서, 디멀티플렉서 | |
| 엠에프르 | 텍사스 인스트루먼츠 사 |
| 시리즈 | - |
| 패키지 | 테이프 & 릴 (TR) |
| 컷 테이프 (CT) | |
| Digi-Reel® | |
| 제품 상태 | 활동가 |
| 스위치 회로 | SPDT |
| 멀티플렉서 / 디멀티플렉서 회로 | 2:01 |
| 회로의 수 | 4 |
| 온-상태 저항 (맥스) | 450mOhm |
| 채널 대 채널 정합 (ΔRon) | 50mOhm |
| 전압 - 공급, 한 개의 (V+) | 1.65V ~ 4.3V |
| 전압 - 공급, 듀얼 (V±) | - |
| 스위치 시간 (톤, 신사) (맥스) | 23 나노 초, 32 나노 초 |
| -3db 대역폭 | 35MHz |
| 전하 주입 | 139pC |
| 채널 전기 용량 (CS (떨어져서), (떨어져서) CD) | 50pF |
| 경향 - 누출 ((떨어져서) 있습니다) (맥스) | 20nA |
| 혼선 | 100kHz에 있는 -73dB |
| 작동 온도 | -40' Ｃ ~ 85' Ｃ (TA) |
| 증가하는 타입 | 표면 부착 |
| 패키지 / 건 | 16-VFQFN 노출된 패드 |
| 공급자 소자 패키지 | 16-vqfn (3x3) |
| 베이스 상품 다수 | TS3A44159 |
| 타입 | 기술 |
| 범주 | 집적 회로 (ICs) |
| 인터페이스 | |
| 아날로그 스위치, 멀티플렉서, 디멀티플렉서 |
TS3A44159RGTR의 특징
오우 특정한 스위칭전 파손
오우 낮은 연결상태 저항 (<0>
오우 제어 입력은 적합한 1.8-V 논리입니다
오우 저전하 주입
오우 우수한 온-상태 저항 정합
오우 낮은 총수치 고조파 왜곡 (THD)
오우 1.65-V 내지 4.3-V 단일 공급 작동
오우 래치-업 성능은 100 마퍼 JESD 78, 등급 II를 초과합니다
JESD 22마다 시험된 오우 ESD 성능
- ±2000-V 인체 모델 (A114 비, 등급 II)
- ±1000-V 대전 장치 모델 (C101)
TS3A44159RGTR의 애플리케이션
오우 휴대폰
오우 피다스
오우 휴대형 계측기
오우 오디오와 비디오 신호 라우팅
오우 저전압 자료 수집 시스템
오우 통신 회로
오우 모뎀
오우 하드 드라이브
오우 컴퓨터 주변 장치
오우 무선 전신 핀과 주변 기기
환경적이 & TS3A44159RGTR의 수출 분류
| 특성 | 기술 |
| 로에스 상태 | 순응한 ROHS3 |
| 습도 감지 수준 (MSL) | (제한 없는) 1 |
| 한계 상태 | 한계는 영향을 주지 않았습니다 |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.39.0001 |
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